СТРУКТУРА - Лаборатория полупроводниковых лазеров с электронной накачкой
Лаборатория ПЛЭН была основана нобелевским лауреатом академиком Н.Г. Басовым в начале 70-х годов в целях исследования физических принципов создания мощных полупроводниковых лазерных устройств для оптоэлектронных систем и решения народнохозяйственных и оборонных задач. Основные направления исследований Лаб. ПЛЭН: полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком и электрическим полем («стримерные»), исследования по лазерному переносу вещества и взаимодействия лазерного излучения с биологическими объектами. В настоящее время в Лаборатории получены патенты по применению лазеров для переноса вещества, в частности для, 3D печати. Ведутся исследования по созданию полупроводниковых лазеров с комбинированной накачкой.