Новости
Ученые Физического института им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН) научились создавать практически бездефектную границу раздела ферромагнетик-антиферромагнетик. Это открывает путь к высокоскоростным и энергоэффективным вычислительным устройствам, сообщает ТАСС. Об этом рассказывает издание ТАСС.
Слоистые магнитоупорядоченные материалы считаются идеальными кандидатами для спинтроники — приборов, использующих спин электрона. Однако для работы нужны условия, недоступные в одном материале. Решение — двумерный ферромагнитный слой на поверхности антиферромагнетика, объединяющий преимущества обоих типов.
Физики ФИАН сформировали естественную ферромагнитно-упорядоченную границу в слоистом антиферромагнитном кристалле. По словам академика Владимира Пудалова, это открывает перспективы для быстродействующих и стабильных устройств с магнитным упорядочением на наноуровне, включая хранение больших объемов данных.
Результаты опубликованы в журнале Physical Review Materials.
