Молекулярно-пучковая эпитаксия наногетероструктур на основе полупроводников и металлов и исследование их свойств в зависимости от условий роста

Молекулярно-пучковая эпитаксия – один из основных способов выращивания полупроводниковых и металлических наноструктур. По сути – это самостоятельная область физики твёрдого тела, важнейшая область наноматериаловедения. В нашей лаборатории имеются как отечественные технологические установки , так и самые современные установки французской фирмы RIBER (рис.), предназначенные для выращивания полупроводниковых наноструктур на основе арсенида галлия (Compact 21 T 3-5) и твёрдых растворов кремний-германий-олово (Siva 21 SiGe). Все имеющиеся установки имеют комплекс аналитического оборудования, позволяющий контролировать и изучать процессы роста наноструктур . Научная работа сотрудников лаборатории, аспирантов и студентов заключается в исследовании процессов роста новых наноструктур, их физических свойств и установления зависимостей свойств от условий выращивания.

Публикации

И.П. Казаков "О разработках ФИАН в области создания новой элементной базы электроники", телеканал "Культура", передача "Чёрные дыры, белые пятна", 27 сентября 2012 г.

М.В. Ловыгин, Н.И. Боргардт, И.П. Казаков, М. Зайбт Электронно-микроскопические исследования пленки алюминия, выращенной на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия, ФТП, 2015, т.49, вып. 3, с. 349-356. 195.   

M.A. Bazalevsky, G.I. Koltsov, S.I. Didenko, S.Yu. Yurchuk, S.A. Legotin, O.I. Rabinovich, V.N. Murashev, I.P. Kazakov Photosensitive AlGaAs/GaAs structures grown by molecular beam epitaxy  Journal of Nano- and Electronic Physics Vol. 6 No 3, 03019(3pp) (2014)