СТРУКТУРА - Лаборатория полупроводниковых лазеров

Основные направления работ лаборатории полупроводниковых лазеров:

• Мощные лазерные диоды (ЛД) и монолитные линейки лазерных диодов (ЛЛД) ближнего ИК диапазона (в частности в спектральных диапазонах 808 нм, 970 нм, 1060 нм)
• Твердотельные лазеры с диодной накачкой (ТЛДН)

В лаборатории ведутся исследования направленные на повышение предельной и ресурсной мощности лазерных диодов и линеек лазерных диодов в непрерывном и импульсном режимах работы, повышение их надёжности и ресурса, а также исследования по созданию новых типов ТЛДН с высоким качеством пучка, с модуляцией добротности, двухволновых ТЛДН для генерации ТГц когерентного излучения в нелинейных кристаллах.