Новости науки

Проведены бесконтактные импульсные терагерцовые измерения времен  рассеяния и захвата электронов, фотоинжектированных оптическим фс-лазерным импульсом,  в поверхностном слое кремния, имплантированного атомами серы в концентрациях от 10^18 до 10^21 см^(–3) с лазерным отжигом. При слабом легировании времена рассеяния и захвата сопоставимы с кристаллическим кремнием, а при увеличении концентрации примеси - резко снижаются.

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109880

Времена затухания носителей заряда в фотовозбужденном слое c-Si и сверхлегированного Si