Новости науки

Минимизация плотности дислокаций в электрооптических спиральных наноструктурах жидкокристаллических сегнетоэлектриков

Плотность дислокаций в плоском слое спиральной наноструктуры жидкокристаллических сегнетоэлектриков (СНЖС) резко уменьшается при уменьшении шага спирали Ро от 220 нм до 60 нм (см. рисунок). Вследствие понижения плотности дислокаций при уменьшении Ро сильно улучшается оптическое качество слоя СНЖС, обеспечивая (при значении Ро около 60 нм) контрастное отношение до 1000:1 при электрооптической модуляции на частотах до 10 килогерц.

Подробнее: https://doi.org/10.1016/j.molliq.2019.02.047

Микрофотографии в поляризационном микроскопе плоских слоёв СНСЖК толщиной 1.7 мкм при разных Ро