Новости

С 21 по 23 апреля 2026 года в Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН проходил X Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур.

Симпозиум проводится регулярно каждые два года и является научным форумом, в котором участвуют ведущие научные учреждения, работающие по современным направлениям фундаментальных исследований в области полупроводниковых лазеров и лазерных технологий.

На открытии выступили помощник директора ФИАН по научной работе С.Ю. Савинов; руководитель Центра естественно-научных исследований ИОФРАН академик РАН В.И. Конов; руководитель лабораторией радиационной биофизики и биомедицинских технологий ФИАН И.Н. Завестовская и руководитель Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН Н.А. Пихтин.

В.И. Конов представил пленарный доклад на тему «Технология лазерного формирования поверхностных структур атомарного масштаба: механизмы и закономерности воздействия, требуемые параметры импульсно-периодического излучения».

Программу первого и второго дня продолжили приглашенные и устные доклады, посвященные основным направлениям развития полупроводниковых лазеров, нацеленным на расширение спектрального диапазона генерации, повышение мощностных характеристик, и физической реализации разрабатываемых подходов. Программа третьего дня была представлена докладами о практическом применении лазерного излучения.

На Симпозиуме были широко представлены ведущие научные, научно-производственные и производственные организации в области полупроводниковой квантовой электроники.

Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН был представлен докладами В.С. Кривобока «Эпитаксиальные гетероструктуры для многоканальных детекторов в средневолновом и дальневолновом ИК диапазонах», В.И. Козловского «Полупроводниковый дисковый лазер с внутри резона-торной накачкой в квантовые ямы», Е.А. Чешева «Исследование нелинейных процессов в лазере с диодной накачкой с дисковым активным элементом на основе композитной керамики Yb:YAG», А.П. Богатова «Широкоапертурный диодный лазер с вертикальным спектрально селективным резонатором».

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН был представлен докладами Н.А. Пихтина «Полупроводниковые инжекционные лазеры для применений в фотонике и микроэлектронике», Г.С. Соколовского «Квантово-каскадные лазеры и детекторы среднего инфракрасного диапазона», С.О. Слипченко «Концепция создания компактных полупроводниковых источников мощных наносекундных и субнаносекундных лазерных импульсов и экспериментальная демонстрация», З.Н. Соколовой «Оже рекомбинация в прямозонных полупроводниках».

Институт прикладной физики РАН представлен докладом В.В. Кочаровского «Механизмы перехода к нестационарной генерации в сверхизлучающем лазере», Е.Р. Кочаровской «Влияние параметров резонатора на второй порог генерации сверхизлучающего лазера».

Институт физики микроструктур РАН представлен докладами В.Н. Шастина «Стимулированное излучение ТГц диапазона на перехо-дах доноров в кремнии», А.А. Андронова «О возможности создания перестраиваемого полем непрерывного источника ТГц излучения (60-100 мкм) при стриминге электронов в сэндвичах графен-гексогональный нитрид бора при T=300 K».

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН представлен докладом С.А. Дворецкого «Аномальная генерация второй гармоники в полупроводниках класса сфалерита».

Институт лазерной физики СО РАН СО РАН представлен докладами И.С. Месензовой «Опыт использования полупроводниковых лазеров для миниатюрных КПН стандартов частоты», Е.Ю. Ерушина «Параметрическая генерация и параметрическое усиление в кристалле BGGS».

Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН представлен докладом А.Н. Терещенко «Современные подходы к повышению эффективности светоизлучающих структур на основе кремния для целей оптоэлектроники».

ООО «НПП «Инжект» представлено докладом А.А. Козырева «Технологические аспекты производства полупроводниковых торцевых лазеров: проблемы адгезии, чистоты поверхности и надежности излучающих зеркал».

АО «Нолатех» представлено докладом В.П. Дураева «Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры с длиной̆ волны излучения 600...1650 нм».

В рамках КОИПСС-2026 состоялись стендовая секция, которая прошла в очном и онлайн форматах, и устная молодежная секция. По итогам которых был проведен конкурс молодежных работ.

Победителями постерной секции стали:

• Номинация лучший постерный доклад в категории бакалавриат – К.О. Фомин ФИАН, НИЯУ МИФИ доклад на тему «Исследование водных растворов наночастиц висмута, синтезированных методом лазерной абляции»
• Номинация лучший постерный доклад в категории магистратура – М.М. Захарчук ФИАН, НИЯУ МИФИ, доклад на тему «Исследование мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы тантала»
• Номинация лучший постерный доклад в категории аспирантура – М.И. Кондратов ФТИ им. А.Ф. Иоффе, доклад на тему «Создание буферного слоя GaAs на подложке Si для монолитно интегрированных источников оптического излучения»
• Номинация лучший постерный доклад в категории молодой ученый –И.М. Тупицын ФИАН, доклад на тему «Генерация Nd:YAG лазера с керамической активной средой в условиях частотного вырождения резонатора».

Победителями в номинации лучший устный молодежный доклад стали:

• А.А. Зотов Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, доклад на тему «Эффект аномальной температурной зависимости дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии»
• Д.А. Постнов Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Институт физики микроструктур РАН, доклад на тему «Непрерывные терагерцовые квантовые каскадные лазеры, выращенные методом MOCVD».

Всего было представлено 1 пленарный, 10 приглашенных, 24 устных и 23 стендовых докладов, в том числе молодежных и студенческих научных работ. В работе приняли участие 116 человек из 7 стран (Россия, Беларусь, Молдова, Узбекистан, Казахстан, Сирия, Китай). Был представлен широкий круг научных и производственных организаций как России, так и ближнего зарубежья.

Организаторами мероприятия традиционно выступили Отделение физических наук РАН, Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» и Журнал «Квантовая электроника».

По результатам КОИПСС-2026 принято решение о необходимости продолжения проведения Симпозиума, усилении работы по развитию научных школ и производственных мощностей в России по полупроводниковой квантовой электронике, о публикации отдельных работ в виде научных статей в журнале «Квантовая электроника».

Участники КОИПСС-2026

Победители конкурса