объявления о конкурсе на замещение должностей научных работников

Вакансия № 890 Высококвалифицированный младший научный сотрудник /0,5 шт.ед./ в Лаборатории новых материалов для ИК фотоники Отдела твердотельная фотоника Отделения физики твердого тела

Дата начала приема заявок: 27.11.2024 г.

Дата окончания приема заявок: 12.01.2025 г.

Дата, время и место проведения конкурса: 27.01.2025 г. в 10:00

г. Москва, Ленинский пр. 53, ФИАН, главное здание, Малый зал

Организация:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук

Должность:

Высококвалифицированный младший научный сотрудник /0,5 шт.ед./ в Лаборатории новых материалов для ИК фотоники Отдела твердотельная фотоника Отделения физики твердого тела

Отрасль науки:

Физика и астрономия

Деятельность

Проведение исследований.

Исследование полупроводниковых материалов методом рентгеновской дифрактометрии.

Трудовые функции:

Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования

Разрабатывать методики

Решать отдельные задачи

Оценивать степень решения.

Трудовая деятельность:

Исследование кристаллического совершенства кристаллов и определение ширины на половине высоты кривых дифракционного отражения (КДО).

Измерением параметров (межплоскостное расстояние, постоянная решетки, индексы отражений, кривизна пластины, угол разориентации) кристаллических структур на рентгеновском дифрактометре высокого разрешения.

Построение карт распределения различных параметров КДО по поверхности образцов.

Изучение существующих методов рентгеновской дифрактометрии, применение на практике и усовершенствование наиболее подходящих методик исследования кристаллических структур.

Проведение моделирования взаимодействия рентгеновского излучения с кристаллическими структурами, с целью получения расчетных КДО от широкого спектра полупроводниковых материалов.

Исследование эпитаксиальных структур различных конфигураций, определение состава, толщин и других параметров эпитаксиальных слоев.

Иметь в течение срока действия Договора публикационную активность, соответствующую занимаемой должности: не менее 2 работ, опубликованных в научных журналах Белого списка, или в журналах из списка ВАК за 5 лет.

Регион:

Москва

Населенный пункт:

г. Москва

Заработная плата

ДОЛЖНОСТНОЙ ОКЛАД:

37 602 руб. (при полной рабочей неделе)

СТАВКА: 0,5 шт.ед.

УСЛОВИЯ ПРЕМИРОВАНИЯ:

высокая результативность работы (вклад в результативность организации)
ценность и востребованность результата (высокий объем цитирований, лицензирование прав на результат)
качество выполняемых исследований («уровень» публикации или патентование результата, в том числе за рубежом)

ДОПОЛНИТЕЛЬНО:

Требования к кандидату:

- Высшее профессиональное образование по специальности.

- Владение программами для проведения измерений на рентгеновском дифрактометре, анализа экспериментальных данных и моделирования теоретических кривых дифракционного отражения (XRD Commander, DIFFRAC.EVA, DIFFRAC.LEPTOS).

- Опыт в проведении исследований полупроводниковых материалов методом рентгеновской дифрактометрии, анализе экспериментальных данных, и моделировании расчетных кривых дифракционного отражения.

- Число публикаций в рецензируемых научных журналах Белого списка, или в журналах из списка ВАК не менее: 1 шт. за последние пять лет.

Дополнительные сведения о вакансии:

Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ФИАН.

Трудовой договор: по итогам конкурса заключается срочный договор от 1 года до 5 лет.

Контактная информация лица «для справок по вакансии»:

ФАМИЛИЯ, ИМЯ, ОТЧЕСТВО: Николаев Сергей Николаевич

E-MAIL: nikolaevsn@lebedev.ru

ТЕЛЕФОН: +7(499) 132-64-48