объявления о конкурсе на замещение должностей научных работников

Дата начала приема заявок: 27.11.2024 г.

Дата окончания приема заявок: 12.01.2025 г.

Дата, время и место проведения конкурса: 27.01.2025 г. в 10:00

г. Москва, Ленинский пр. 53, ФИАН, главное здание, Малый зал

Организация:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук

Должность:

Высококвалифицированный младший научный сотрудник /0,5 шт.ед./ в Отделе твердотельная фотоника Отделения физики твердого тела

Отрасль науки:

Физика и астрономия

Деятельность

Проведение исследований.

Исследования поверхности полупроводниковых структур методами безапертурной сканирующей микроскопии ближнего оптического поля (sSNOM).

Исследование распределения ближнего оптического поля вблизи золотых масок на поверхности  полярного кристалла (карбида кремния).

Разработка и моделирование элементов поверхностной фонон-поляритонной оптики, работа по улучшению прибора sSNOM.

Трудовые функции:

Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования

Разрабатывать методики

Решать отдельные задачи

Оценивать степень решения.

Трудовая деятельность:

Обработка и интерпретация полученных экспериментальных данных.

Анализ литературных данных в области проводимых исследований.

Ежегодное представление результатов научных исследований на конференциях в Российской Федерации и, по возможности, за рубежом.

Настройка измерительной установки sSNOM (юстировка оптической схемы, отладка и доработка ПО, разработка при необходимости дополнительных электронных плат, улучшение самого прибора).

Исследование фонон-поляритонных волн на поверхности SiC, генерируемых внешней когерентной световой волной вблизи металлических масок различной геометрии. Разработка двумерных устройств фонон-поляритонной квази-оптики на поверхности SiC. Вычисление конфигурации бегущих и стоячих поляритонных волн, возбуждаемых падающей когерентной световой волной на поверхности кристалла в присутствии экранирующих (металлических) масок, путем решения неоднородных волновых уравнений, учитывающих резонансные колебания атомов решетки и уравнения Максвелла.

Исследование материал-контраста полупроводниковых наноструктур.

Определение с его помощью технологически полезных параметров выращенных полупроводниковых структур: материала, размеров, формы, распределения локазизованных и свободных зарядов в исследуемых образцах.

Обработка и интерпретация полученных результатов.

Иметь в течение срока действия Договора публикационную активность, соответствующую занимаемой должности: не менее 2 работ, опубликованных в научных журналах Белого списка, или в журналах из списка ВАК за 5 лет.

Регион:

Москва

Населенный пункт:

г. Москва

Заработная плата

ДОЛЖНОСТНОЙ ОКЛАД:

37 602 руб. (при полной рабочей неделе)

СТАВКА: 0,5 шт.ед.

УСЛОВИЯ ПРЕМИРОВАНИЯ:

высокая результативность работы (вклад в результативность организации)
ценность и востребованность результата (высокий объем цитирований, лицензирование прав на результат)
качество выполняемых исследований («уровень» публикации или патентование результата, в том числе за рубежом)

ДОПОЛНИТЕЛЬНО:

Требования к кандидату:

- Высшее профессиональное образование по специальности.

- Владение программами разработки механических и электронных компонентов (AutoCAD, OrCAD, LTspice и т.п.).

- Опыт в настройке и использовании оптических интерферометрических систем в среднем ИК-диапазоне.

- Опыт в использовании систем микроскопии сканирующего зонда (AFM, Kelvin-mode, sSNOM) и программного обеспечения для визуализации и обработки полученных с их помощью данных.

- Владение английским языком на уровне, достаточном для самостоятельного написания научных статей, ведения переписки и выступления на конференциях, а также общения с зарубежными коллегами.

- Число публикаций в рецензируемых научных журналах Белого списка, или в журналах из списка ВАК не менее: 1 шт. за последние пять лет.

Дополнительные сведения о вакансии:

Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ФИАН.

Трудовой договор: по итогам конкурса заключается срочный договор от 1 года до 5 лет.

Контактная информация лица «для справок по вакансии»:

ФАМИЛИЯ, ИМЯ, ОТЧЕСТВО:  Казанцев Дмитрий Всеволодович

E-MAIL:                                            kaza@itep.ru

ТЕЛЕФОН:                                       +7(499) 132-68-45