Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: отделение / лаборатория
- Лаборатория лазеров с катодно-лучевой накачкой
период Все года
Найдено публикаций: 503.

Последнее обновление базы: 01.04.2022

  1. 10-Gb/s all-optical 2R regeneration using an MQW Fabry-Perot saturable absorber and a nonlinear fiber
    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
    Pantouvaki, M; Fice, MJ; Feced, R; Burr, EP; Gwilliam, R; Krysa, AB; Roberts, JS; Seeds, AJ
    2004г. т. 16 номер 2 стр.. 617-619 (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1109/LPT.2003.823132
    WoS id - WOS:000189020000089

  2. MOVPE grown quantum cascade lasers
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
    Green, R; Roberts, J; Krysa, A; Wilson, L; Cockburn, J; Revin, D; Zibik, E; Carder, D; Airey, R
    2004г. т. 21 номер 2-4 стр.. 863-866 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.physe.2003.11.133
    WoS id - WOS:000220873300147

  3. Surface passivation of InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors
    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
    Ng, WK; Tan, CH; Houston, PA; Krysa, A; Tahraoui, A
    2004г. т. 19 номер 6 стр.. 720-724 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/0268-1242/19/6/010
    WoS id - WOS:000222252100012

  4. Carrier distribution, spontaneous emission and gain in self assembled quantum dot lasers
    NOVEL IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS III
    Smowton, PM; Pearce, EJ; Lutti, J; Matthews, DR; Summers, HD; Lewis, GM; Blood, P; Hopkinson, M; Kry
    2004г. т. 5365 номер стр.. 86-95 (цит. wos) 5 тип: труды

    DOI - 10.1117/12.530429
    WoS id - WOS:000222345500010

  5. Optical properties of InP/GaInP quantum-dot laser structures
    APPLIED PHYSICS LETTERS
    Lewis, GM; Lutti, J; Smowton, PM; Blood, P; Krysa, AB; Liew, SL
    2004г. т. 85 номер 11 стр.. 1904-1906 (цит. wos) 13 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.1794379
    WoS id - WOS:000223923300012

  6. Optimization of gain in multilayer GaInP quantum dots
    2004 IEEE LEOS ANNUAL MEETING CONFERENCE PROCEEDINGS, VOLS 1 AND 2
    Smowton, PM; Lutti, J; Lewis, GM; Blood, P; Ramsey, AJ; Mowbray, DJ; Krysa, AB; Lin, JC; Roberts,
    2004г. т. номер стр.. 695-696 тип: труды

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000225390900346

  7. High-performance distributed feedback quantum cascade lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    APPLIED PHYSICS LETTERS
    Green, RP; Wilson, LR; Zibik, EA; Revin, DG; Cockburn, JW; Pflugl, C; Schrenk, W; Strasser, G; Krysa, AB все авторы
    2004г. т. 85 номер 23 стр.. 5529-5531 (цит. wos) 31 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.1830072
    WoS id - WOS:000225620100011

  8. High performance quantum cascade lasers grown by metal-organic vapor phase epitaxy
    INFRARED DETECTOR MATERIALS AND DEVICES
    Wilson, LR; Green, RP; Krysa, AB; Roberts, JS; Ng, WH; Revin, DG; Pflugl, C; Schrenk, W; Strasser, G все авторы
    2004г. т. 5564 номер стр.. 156-163 (цит. wos) 2 тип: труды

    DOI - 10.1117/12.558991
    WoS id - WOS:000225674400017

  9. MOVPE-grown quantum cascade lasers operating at similar to 9 mu m wavelength
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Krysa, AB; Roberts, IS; Green, RP; Wilson, LR; Page, H; Garcia, M; Cockburn, JW
    2004г. т. 272 номер 1-4 стр.. 682-685 (цит. wos) 29 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.066
    WoS id - WOS:000225890300107

  10. MOVPE growth and characterization of hexagonal CdS epilayers and CdS-based QW structures on CdS and ZnCdS substrates
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Kozlovsky, VI; Martovitsky, VP; Sannikov, DA; Kuznetsov, PI; Yakushcheva, GG; Jitov, VA
    2003г. т. 248 номер стр.. 62-66 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0022-0248(02)01934-6
    WoS id - WOS:000180446900012

  11. Layer structure of Zn1-xCdxSe films grown by vapor-phase epitaxy from metal-organic compounds on Cd0.92Zn0.08S(0001) substrates
    SEMICONDUCTORS
    Martovitsky, VP; Kozlovsky, VI; Kuznetsov, PI; Skasyrsky, YK; Yakushcheva, GG
    2003г. т. 37 номер 3 стр.. 294-301 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1561521
    WoS id - WOS:000181440600011

  12. Threshold and efficiency of a laser cathode-ray tube at room temperature
    QUANTUM ELECTRONICS
    Kozlovsky, VI; Popov, YM
    2003г. т. 33 номер 1 стр.. 48-56 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1070/QE2003v033n01ABEH002364
    WoS id - WOS:000182398700009

  13. Hexagonal ZnCdS epilayers and CdSSe/ZnCdS QW structures on CdS(0001) and ZnCdS(0001) substrates grown by MOVPE
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
    Kuznetsov, PI; Jitov, VA; Yakushcheva, GG; Shchamkhalova, BS; Zakharov, LY; Kozlovsky, VI; Skasyrsky, YK все авторы
    2003г. т. 17 номер 1-4 стр.. 516-517 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S1386-9477(02)00856-1
    WoS id - WOS:000182700700176

  14. E-beam pumped GaInP/AlGaInP MQW VCSEL.
    2003 INTERNATIONAL CONFERENCE INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, CONFERENCE PROCEEDINGS
    Bondarev, VY; Kozlovsky, VI; Krysa, AB; Roberts, JS; Skasyrsky, YK
    2003г. т. номер стр.. 182-185 тип: труды

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000183253000047

  15. Efficient lasing of a Cr2+ : ZnSe crystal grown from a vapour phase
    QUANTUM ELECTRONICS
    Kozlovsky, VI; Korostelin, YV; Landman, AI; Podmar'kov, YP; Frolov, MP
    2003г. т. 33 номер 5 стр.. 408-410 (цит. wos) 29 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1070/QE2003v033n05ABEH002425
    WoS id - WOS:000184886100005

  16. Propagation of nonequilibrium phonons in single-crystal ZnTe
    SEMICONDUCTORS
    Galkina, TI; Klokov, AY; Sharkov, AI; Korostelin, YV; Zaitsev, VV
    2003г. т. 37 номер 5 стр.. 519-522 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1575353
    WoS id - WOS:000182671800002

  17. Ultrafast recovery times and increased absorption nonlinearity in InGaAsP MQW saturable absorbers implanted at 200 degrees C
    2003 INTERNATIONAL CONFERENCE INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, CONFERENCE PROCEEDINGS
    Pantouvaki, M; Gwilliam, R; Burr, EP; Krysa, AB; Roberts, JS; Seeds, AJ
    2003г. т. номер стр.. 355-358 (цит. wos) 1 тип: труды

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000183253000091

  18. Design, fabrication and characterisation of normal-incidence 1.56-mu m multiple-quantum-well asymmetric Fabry-Perot modulators for passive picocells
    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
    Liu, CP; Seeds, A; Chadha, JS; Stavrinou, PN; Parry, G; Whitehead, M; Krysa, AB; Roberts, JS
    2003г. т. E86C номер 7 стр.. 1281-1289 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000184068000025

  19. Room-temperature operation of InGaAs/AlInAs quantum cascade lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    APPLIED PHYSICS LETTERS
    Green, RP; Krysa, A; Roberts, JS; Revin, DG; Wilson, LR; Zibik, EA; Ng, WH; Cockburn, JW
    2003г. т. 83 номер 10 стр.. 1921-1922 (цит. wos) 24 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.1609055
    WoS id - WOS:000185089800005

  20. Temperature dependence of breakdown and avalanche multiplication in In0.53Ga0.47As diodes and heterojunction bipolar transistors
    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
    Yee, M; Ng, WK; David, JPR; Houston, PA; Tan, CH; Krysa, A
    2003г. т. 50 номер 10 стр.. 2021-2026 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1109/TED.2003.816553
    WoS id - WOS:000185565600004

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория
Лаборатория лазеров с катодно-лучевой накачкой
(Выбрать)

Период


С по
Тип



Сортировать по