Luminescence Properties of Diamond Prepared in the Presence of Rare-Earth Elements
INORGANIC MATERIALS
Ekimov, EA; Zibrov, IP; Malykhin, SA; Khmel'nitskii, RA; Vlasov, II
2017г. т. 53 номер 8 стр.. 809-815 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0020168517080039
WoS id - WOS:000405468900006

Vacancy-impurity centers in diamond: prospects for synthesis and applications
PHYSICS-USPEKHI
Ekimov, EA; Kondrin, MV
2017г. т. 60 номер 6 стр.. 539-558 (цит. wos) 22 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3367/UFNe.2016.11.037959
WoS id - WOS:000409222900001

Structure and tribological properties of composite materials based on Al-Cu-Fe formed at high pressure
TECHNICAL PHYSICS LETTERS
Golovkova, EA; Ekimov, EA; Ivanov, AS; Kruglov, VS; Pal', AF; Ryabinkin, AN; Serov, AO; Starostin, AN все авторы
2017г. т. 43 номер 11 стр.. 972-975 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063785017110050
WoS id - WOS:000416862300006

Compacts of Boron-Doped Synthetic Diamond: Lowering of Synthesis Temperature and Its Effect on the Doping Level and Electrochemical Behavior
RUSSIAN JOURNAL OF ELECTROCHEMISTRY
Pleskov, YV; Krotova, MD; Elkin, VV; Ekimov, EA
2017г. т. 53 номер 12 стр.. 1345-1353 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1023193517120084
WoS id - WOS:000426694100006

Electronic spectrum of non-tetrahedral acceptors in CdTe:Cl and CdTe:Bi,Cl single crystals
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Krivobok, VS; Nikolaev, SN; Bagaev, VS; Pruchkina, AA; Onishchenko, EE; Kolosov, SA; Klevkov, YV
2016г. т. 119 номер 5 стр.. - (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.4941026
WoS id - WOS:000369900600036

Isolated quantum emitters originating from defect centers in a ZnSe/ZnMgSSe heterostructure
JETP LETTERS
Krivobok, VS; Nikolaev, SN; Chentsov, SI; Onishchenko, EE; Bagaev, VS; Kozlovskii, VI; Sorokin, SV все авторы
2016г. т. 104 номер 2 стр.. 110-115 (цит. wos) 8 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364016140095
WoS id - WOS:000385020700008

Fine structure of the emission spectrum of a two-dimensional electron-hole liquid in SiGe/Si quantum wells
JETP LETTERS
Nikolaev, SN; Krivobok, VS; Bagaev, VS; Onishchenko, EE; Novikov, AV; Shaleev, MV
2016г. т. 104 номер 3 стр.. 163-168 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364016150121
WoS id - WOS:000386674600004

Plasmonic enhancement of four-particle radiative recombination in SiGe quantum wells
JETP LETTERS
Krivobok, VS; Nikolaev, SN; Novikov, AV; Shaleev, MV; Bagaev, VS; Onishchenko, EE; Lebedev, VS; Skorikov, ML все авторы
2016г. т. 104 номер 4 стр.. 231-235 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364016160086
WoS id - WOS:000387337200004

Application of the difference spectroscopy for studying of complex acceptors in CdTe
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 13 NO 7-9
Bagaev, V; Krivobok, V; Nikolaev, S; Onischenko, E; Pruchkina, A
2016г. т. 13 номер 7-9 стр.. 477-480 тип: труды

DOI - 10.1002/pssc.201510262
WoS id - WOS:000387954400017

Electronic spectrum of Bi-related defects in crystalline CdTe
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 13 NO 7-9
Krivobok, V; Nikolaev, S; Onischenko, E; Pruchkina, A; Kolosov, S; Klevkov, Y; Bagaev, V
2016г. т. 13 номер 7-9 стр.. 481-485 тип: труды

DOI - 10.1002/pssc.201510274
WoS id - WOS:000387954400018

Exciton emission of crystalline Zn(S)Se thin films arranged in microcavities based on amorphous insulating coatings
SEMICONDUCTORS
Kozlovsky, VI; Krivobok, VS; Kuznetsov, PI; Nikolaev, SN; Onishchenko, EE; Pruchkina, AA; Timiryazev, AG все авторы
2016г. т. 50 номер 1 стр.. 8-15 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782616010115
WoS id - WOS:000367685200002

Formation and reconstruction of Se nanoislands at the surface of thin epitaxial ZnSe layers grown on GaAs substrates
SEMICONDUCTORS
Kozlovskiy, VI; Krivobok, VS; Kuznetsov, PI; Nikolaev, SN; Onishchenko, EE; Pruchkina, AA; Tem
2016г. т. 50 номер 5 стр.. 688-693 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782616050146
WoS id - WOS:000376297500023

Impurity-defect emission from undoped Cd1-x Zn (x) Te single crystals near the fundamental absorption edge
PHYSICS OF THE SOLID STATE
Krivobok, VS; Denisov, IA; Mozhevitina, EN; Nikolaev, SN; Onishchenko, EE; Pruchkina, AA; Silina, AA все авторы
2016г. т. 58 номер 5 стр.. 981-991 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063783416050127
WoS id - WOS:000376450000013

Fabrication of the Fully Hybrid Microcavities Based on Zn(S)Se Epilayers and Amorphous Dielectrics
JOURNAL OF RUSSIAN LASER RESEARCH
Kozlovsky, V; Krivobok, V; Nikolaev, S; Onishchenko, E; Pruchkina, A; Kuznetsov, P; Zhitov, V
2016г. т. 37 номер 3 стр.. 273-279 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1007/s10946-016-9571-y
WoS id - WOS:000380714700010

Controllable Laser Reduction of Graphene Oxide Films for Photoelectronic Applications
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
Evlashin, S; Dyakonov, P; Khmelnitsky, R; Dagesyan, S; Klokov, A; Sharkov, A; Timashev, P; Minaeva, S все авторы
2016г. т. 8 номер 42 стр.. 28880-28887 (цит. wos) 31 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1021/acsami.6b10145
WoS id - WOS:000386540300071

Evolution of the structural and superconducting properties of FeSe crystals upon long-term storage
CRYSTALLOGRAPHY REPORTS
Gorina, JI; Kaljuzhnaia, GA; Golubkov, MV; Rodin, VV; Romanova, TA; Sentjurina, NN; Chernook, SG
2016г. т. 61 номер 2 стр.. 315-319 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063774516020085
WoS id - WOS:000374349300026

Pb1-xEuxTe Alloys (0 <= x <= 1) as Materials for Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers in the Mid-Infrared Spectral Range of 4-5 mu m
SEMICONDUCTORS
Pashkeev, DA; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG; Zasavitskiy, II
2016г. т. 50 номер 2 стр.. 228-234 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782616020172
WoS id - WOS:000374410200017

Color Centers in Silicon-Doped Diamond Films
JOURNAL OF APPLIED SPECTROSCOPY
Sedov, VS; Krivobok, VS; Khomich, AV; Ralchenko, VG; Khomich, AA; Martyanov, AK; Nikolaev, SN все авторы
2016г. т. 83 номер 2 стр.. 229-233 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1007/s10812-016-0274-5
WoS id - WOS:000376597700012

Investigation of the thermal stability of metastable GeSn epitaxial layers
SEMICONDUCTORS
Martovitsky, VP; Sadofyev, YG; Klekovkin, AV; Saraikin, VV; Vasil'evskii, IS
2016г. т. 50 номер 11 стр.. 1548-1553 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S106378261611018X
WoS id - WOS:000387363900025

Electrochemical behavior of new electrode material: Compact of boron-doped synthetic diamond
RUSSIAN JOURNAL OF ELECTROCHEMISTRY
Pleskov, YV; Krotova, MD; Elkin, VV; Ekimov, EA
2016г. т. 52 номер 1 стр.. 1-6 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1023193516010079
WoS id - WOS:000369345000001