Поиск по публикациям
В мае 2023 года была разработана методика рейтингования журналов Белого списка, информация о чем размещена на сайте РЦНИ https://journalrank.rcsi.science/ru/
При расчете ПРНД сотрудников ФИАН в 2024 году публикации 2023 году будут оцениваться на основе из рейтинга, актуализированного в мае 2023 года. Сводная информация об уровнях журналов для расчета ПРНД размещена ниже:
В связи с приостановкой подписки российских научных организаций на системы Web of Science и Scopus после 1 января 2023 года, с 1 февраля 2023 года оценка публикационной активности будет проводиться на основе публикаций в журналах ВАК и Белого списка. Рейтинг журналов Белого списка, представленный на сайте, основан на принципе преемственности подхода к оценке качества журналов в предыдущие года.
- Приказ о новых правилах расчета стимулирующих выплат научным сотрудникам ФИАН
- Общий рейтинг журналов Белого списка за 2022 год
- Рейтинг физических журналов за 2022 год
Результат поиска:
Вы искали:
отделение / лаборатория
- Отдел твердотельная фотоника
период Все года
Найдено публикаций: 212.
Последнее обновление базы: 01.01.2023
-
Color centers in silicon-doped diamond films
Journal of Applied Spectroscopy
Sedov V.S., Krivobok V.S., Khomich A.V., Ralchenko V.G., Khomich A.A., Martyanov A.K., Nikolaev S.N., Poklonsk все авторы
2016г. т. 83 номер 2 стр.. 229-233 тип: статья
DOI - 10.1007/s10812-016-0274-5
Scopus id - 2-s2.0-84966460593 -
Electronic spectrum of non-tetrahedral acceptors in CdTe:Cl and CdTe:Bi,Cl single crystals
Journal of Applied Physics
Krivobok V.S., Nikolaev S.N., Bagaev V.S., Pruchkina A.A., Onishchenko E.E., Kolosov S.A., Klevkov Yu.V., Skor все авторы
2016г. т. 119 номер 5 тип: статья
DOI - 10.1063/1.4941026
Scopus id - 2-s2.0-84957537595 -
Pb1–xEuxTe alloys (0 ⩽ x ⩽ 1) as materials for vertical-cavity surface-emitting lasers in the mid-infrared spectral range of 4–5 μm
Semiconductors
Pashkeev D.A., Selivanov Y.G., Chizhevskii E.G., Zasavitskiy I.I.
2016г. т. 50 номер 2 стр.. 228-234 тип: статья
DOI - 10.1134/S1063782616020172
Scopus id - 2-s2.0-84958751013 -
Exciton emission of crystalline Zn(S)Se thin films arranged in microcavities based on amorphous insulating coatings
Semiconductors
Kozlovsky V.I., Krivobok V.S., Kuznetsov P.I., Nikolaev S.N., Onistchenko E.E., Pruchkina A.A., Timiryazev A.G все авторы
2016г. т. 50 номер 1 стр.. 8-15 тип: обзор
DOI - 10.1134/S1063782616010115
Scopus id - 2-s2.0-84953210281 -
Sn-enriched Ge/GeSn nanostructures grown by MBE on (001) GaAs and Si wafers
Semiconductors
Sadofyev Y.G., Martovitsky V.P., Klekovkin A.V., Saraykin V.V., Vasil’evskii I.S.
2015г. т. 49 номер 12 стр.. 1564-1570 тип: статья
DOI - 10.1134/S1063782615120179
Scopus id - 2-s2.0-84958176367 -
Multiparticle states and the factors that complicate an experimental observation of the quantum coherence in the exciton gas of SiGe/Si quantum wells
Journal of Experimental and Theoretical Physics
Bagaev V.S., Davletov E.T., Krivobok V.S., Nikolaev S.N., Novikov A.V., Onishchenko E.E., Pruchkina A.A., Skor все авторы
2015г. т. 121 номер 6 стр.. 1052-1066 тип: статья
DOI - 10.1134/S106377611512002X
Scopus id - 2-s2.0-84955581770 -
Observation of the Ge-vacancy color center in microcrystalline diamond films
Bulletin of the Lebedev Physics Institute
Ralchenko V.G., Sedov V.S., Khomich A.A., Krivobok V.S., Nikolaev S.N., Savine S.S., Vlasov I.I., Konov V.I.
2015г. т. 42 номер 6 стр.. 165-168 тип: статья
DOI - 10.3103/S1068335615060020
Scopus id - 2-s2.0-84943223149 -
Excitonic luminescence of SiGe/Si quantum wells δ-doped with boron
Journal of Applied Physics
Bagaev V.S., Krivobok V.S., Nikolaev S.N., Novikov A.V., Onishchenko E.E., Pruchkina A.A.
2015г. т. 117 номер 18 тип: статья
DOI - 10.1063/1.4921103
Scopus id - 2-s2.0-84929353201 -
Thermal stability of Ge/GeSn nanostructures grown by MBE on (001) Si/Ge virtual wafers
Physics Procedia
Sadofyev Yu.G., Martovitsky V.P., Klekovkin A.V., Saraikin V.V., Vasil'Evskii I.S.
2015г. т. 72 стр.. 411-418 тип: публикация конференции
DOI - 10.1016/j.phpro.2015.09.078
Scopus id - 2-s2.0-84966679963 -
Influence of Boron Selective Doping on the Edge Luminescence of SiGe/Si Quantum Wells
Journal of Russian Laser Research
Bagaev V.S., Krivobok V.S., Nikolaev S.N., Novikov A.V., Onishchenko E.E., Pruchkina A.A.
2015г. т. 36 номер 1 стр.. 66-73 тип: статья
DOI - 10.1007/s10946-015-9478-z
Scopus id - 2-s2.0-84956957109 -
Ge/GeSn heterostructures grown on Si (100) by molecular-beam epitaxy
Semiconductors
Sadofyev Y.G., Martovitsky V.P., Bazalevsky M.A., Klekovkin A.V., Averyanov D.V., Vasil’evskii I.S.
2015г. т. 49 номер 1 стр.. 124-129 тип: статья
DOI - 10.1134/S1063782615010248
Scopus id - 2-s2.0-84920607877 -
Structural and optical properties of metastable SiGe/Si films with a low germanium concentration
Physics of the Solid State
Bagaev V.S., Krivobok V.S., Lobanov D.N., Minnullin A.N., Nikolaev S.N., Shaleev A.N., Shevtsov S.V.
2014г. т. 56 номер 10 стр.. 1957-1966 тип: статья
DOI - 10.1134/S1063783414100023
Scopus id - 2-s2.0-84920771729 -
Effect of annealing in liquid cadmium upon photoluminescence in polycrystalline cadmium telluride grown under nonequilibrium conditions
Semiconductors
Pruchkina A.A., Nikolaev N.S., Krivobok V.S., Bagaev V.S., Onishchenko E.E., Klevkov Y.V., Kolosov S.A.
2014г. т. 48 номер 3 стр.. 292-298 тип: статья
DOI - 10.1134/S106378261403021X
Scopus id - 2-s2.0-84897806240 -
Superradiance of a degenerate exciton gas in semiconductors with indirect fundamental absorption edge
JETP Letters
Krivobok V.S., Nikolaev S.N., Bagaev V.S., Lebedev V.S., Onishchenko E.E.
2014г. т. 100 номер 5 стр.. 306-310 тип: статья
DOI - 10.1134/S0021364014170081
Scopus id - 2-s2.0-84920920941 -
Photoinduced charge redistribution and its influence on excitonic states in Zn(Cd)Se/ZnMgSSe/GaAs quantum-well heterostructures
Physics of the Solid State
Shevtsov S.V., Adiyatullin A.F., Sviridov D.E., Kozlovsky V.I., Kuznetsov P.I., Nikolaev S.N., Krivobok V.S.
2014г. т. 56 номер 4 стр.. 801-811 тип: статья
DOI - 10.1134/S1063783414040313
Scopus id - 2-s2.0-84898953482 -
Complex acceptors in CdTe:Cl investigated by differential spectroscopy
JETP Letters
Pruchkina A.A., Krivobok V.S., Nikolaev S.N., Onishchenko E.E., Belov A.G., Denisov N.A., Merinov V.N.
2013г. т. 98 номер 8 стр.. 450-454 тип: статья
DOI - 10.1134/S0021364013210108
Scopus id - 2-s2.0-84891299900 -
Dynamics of the phase transitions in the system of nonequilibrium charge carriers in quantum-dimensional Si1 - X Ge x /Si structures
Journal of Experimental and Theoretical Physics
Bagaev V.S., Krivobok V.S., Nikolaev S.N., Onishchenko E.E., Pruchkina A.A., Aminev D.F., Skorikov M.L., Loban все авторы
2013г. т. 117 номер 5 стр.. 912-925 тип: статья
DOI - 10.1134/S1063776113130074
Scopus id - 2-s2.0-84891585960 -
Effects of photoinduced charge redistribution on excitonic states in Zn(Cd)Se/ZnMgSSe quantum wells
Journal of Applied Physics
Adiyatullin A.F., Shevtsov S.V., Sviridov D.E., Kozlovsky V.I., Pruchkina A.A., Kuznetsov P.I., Krivobok V.S.
2013г. т. 114 номер 16 тип: статья
DOI - 10.1063/1.4827183
Scopus id - 2-s2.0-84887267738 -
Features of the effect of heterointerface spreading on exciton states in Zn(Cd)Se/ZnMgSSe quantum wells
Bulletin of the Lebedev Physics Institute
Adiyatullin A.F., Krivobok V.S., Kozlovskii V.I., Shevtsov S.V., Minnullin A.N.
2013г. т. 40 номер 7 стр.. 198-204 тип: статья
DOI - 10.3103/S1068335613070051
Scopus id - 2-s2.0-84884143493 -
Role of intervalley scattering in the radiative recombination in Pb1 - xEuxTe alloys (0 ≤ x ≤ 1)
Semiconductors
Pashkeev D.A., Zasavitskiy I.I.
2013г. т. 47 номер 6 стр.. 755-760 тип: статья
DOI - 10.1134/S1063782613060201
Scopus id - 2-s2.0-84878771411