Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: отделение / лаборатория
- Лаборатория узкозонных полупроводников
период Все года
Найдено публикаций: 165.

Последнее обновление базы: 01.10.2021

  1. INFLUENCE OF HYDROSTATIC PRESSURES ON THE IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF TELLURIUM
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ZASAVITSKII, II; KOSICHKIN, YV; MAZUR, YI; NADEZHDINSKII, AI; POLYAKOV, YA; SHIROKOV, AM
    1983г. т. 17 номер 1 стр.. 42-44 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983QU05000014

  2. DIODE-LASER SPECTROSCOPY OF SF6 MOLECULES, COOLED IN A PULSED JET, WITH IR MULTIPHOTON EXCITATION
    JETP LETTERS
    APATIN, VM; KRIVTSUN, VM; KURITSYN, YA; MAKAROV, GN; PAK, I; ZASAVITSKII, II; SHOTOV, AP
    1983г. т. 37 номер 8 стр.. 431-435 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983RN96500007

  3. NEGATIVE PHOTOCONDUCTIVITY IN PB1-XSNXTE-IN
    JETP LETTERS
    ZASAVITSKII, II; MATVEENKO, AV; MATSONASHVILI, BN; TROFIMOV, VT
    1983г. т. 37 номер 10 стр.. 539-543 (цит. wos) 8 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983RR10000002

  4. KINETICS OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF PB1-XSNXTE-IN
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ZASAVITSKII, II; MATVEENKO, AV; MATSONASHVILI, BN; TROFIMOV, VT
    1983г. т. 17 номер 12 стр.. 1396-1399 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983SV28900017

  5. A LONG-PATH MONITOR OF CARBON-MONOXIDE CONCENTRATION IN AN ATMOSPHERE UTILIZING PULSED DIODE-LASERS
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    ASTAKHOV, VI; GALAKTIONOV, VV; ZASAVITSKII, II; KOSICHKIN, YV; NADEZHDINSKII, AI; PEROV, AN; TISHCHENKO, AY все авторы
    1982г. т. 9 номер 3 стр.. 531-536 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982NL02600013

  6. CALIBRATION OF A LASER DIODE SPECTROMETER
    MEASUREMENT TECHNIQUES USSR
    ZASAVITSKII, II; KOSICHKIN, YV; KRYUKOV, PV; NADEZHDINSKII, AI; SHOTOV, AP
    1982г. т. 25 номер 10 стр.. 815-816 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/BF00824388
    WoS id - WOS:A1982QP63400009

  7. HETEROSTRUCTURE FOR INJECTION-LASER, BASED ON PB1-XSNXSE
    ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
    ZASAVITSKII, II; ZLOMANOV, VP; KASHKUR, IP; MATSONASHVILI, BN; TROFIMOV, VT; FLUSOV, GV
    1981г. т. 51 номер 5 стр.. 943-948 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1981LT31900009

  8. INFLUENCE OF IMPURITIES ON PHOTO-LUMINESCENCE OF EPITAXIAL PB1-XSNXTE(X APPROXIMATELY 0.2) FILMS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ABRYUTINA, TP; GEIMAN, KI; GIRICH, BG; GUREEV, DM; ZASAVITSKII, II; MATVEENKO, AV; MATSONASHVILI, BN все авторы
    1981г. т. 15 номер 5 стр.. 543-547 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1981MS02600021

  9. DEPENDENCES OF THE LONGITUDINAL AND TRANSVERSE COMPONENTS OF THE G-FACTOR OF CARRIERS ON THE BAND-GAP OF PB1-XSNXTE(0-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR APPROXIMATELY-0.23) AND PB1-XSNXSE(0-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR APPROXIMATELY-0.08) SOLID-SOLUTIONS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    GUREEV, DM; ZASAVITSKII, II; MATSONASHVILI, BN; SHOTOV, AP
    1981г. т. 15 номер 11 стр.. 1318-1320 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1981NN84800036

  10. PHOTO-LUMINESCENCE OF PB1-XSNXTE (X-APPROXIMATELY-0.2) CRYSTALS DOPED LIGHTLY (-APPROXIMATELY-1018CM-3) WITH INDIUM
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ZASAVITSKII, II; MATSONASHVILI, BN; STARIK, PM; FLUSOV, GV
    1981г. т. 15 номер 11 стр.. 1322-1323 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1981NN84800038

  11. VIBRATIONAL-ROTATIONAL SPECTRA OF NU-3-BAND OF (OSO4)-O-192 GAS OBTAINED WITH THE USE OF A DIODE-LASER
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    GLUSHKOV, MV; KOSICHKIN, YV; NADEZHDINSKII, AI; ZASAVITSKII, II; SHOTOV, AP; GERASIMOV, GA; FOMIN,
    1980г. т. 7 номер 4 стр.. 908-911 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1980JQ73200034

  12. LASER SPECTROSCOPY OF A COMPOSITE V2+V4 VIBRATION OF THE CF4 MOLECULE AND TUNING CURVES OF A CF4 LASER
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    ALIMPIEV, SS; ZASAVITSKII, II; KARLOV, NV; KOSICHKIN, YV; KRYUKOV, PV; NABIEV, SS; NADEZHDINSKII, AI все авторы
    1980г. т. 7 номер 9 стр.. 1885-1894 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1980KM83000004

  13. ZEEMAN EFFECT IN THE IR-SPECTRUM OF A MOLECULE WITHOUT AN ELECTRONIC MOMENT - OBSERVATION WITH A TUNABLE DIODE-LASER
    OPTICS COMMUNICATIONS
    KOLOSHNIKOV, VG; KURITSYN, YA; PAK, I; ULITSKIY, NI; KHARLAMOV, BM; BRITOV, AD; ZASAVITSKY, II; SH
    1980г. т. 35 номер 2 стр.. 213-217 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0030-4018(80)90212-6
    WoS id - WOS:A1980KQ46600013

  14. DETECTION OF IMPURITY STATES IN THE PHOTO-LUMINESCENCE SPECTRA OF PB1-XSNXTE (XAPPROXIMATELY0.2) SOLID-SOLUTIONS
    JETP LETTERS
    ZASAVITSKII, II; MATSONASHVILI, BN; SHOTOV, AP
    1980г. т. 32 номер 2 стр.. 144-147 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1980LB83600018

  15. CW AND PULSED PB1-X SNX SE DIODE-LASER SPECTROSCOPY OF (NH3)-N-14 AND (NH3)-N-15 MOLECULES
    OPTICS COMMUNICATIONS
    GORSHUNOV, BM; SHOTOV, AP; ZASAVITSKY, II; KOLOSHNIKOV, VG; KURITSYN, YA; VEDENEEVA, GV
    1979г. т. 28 номер 1 стр.. 64-68 (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0030-4018(79)90170-6
    WoS id - WOS:A1979GH05100016

  16. HETEROJUNCTION LASERS BASED ON PB1-XSNXTE AND PREPARED BY INSTANTANEOUS EVAPORATION IN VACUUM
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    GEIMAN, KI; ZASAVITSKII, II; MATVEENKO, AV; SHOTOV, AP
    1979г. т. 13 номер 5 стр.. 520-522 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1979HQ78200008

  17. RADIATIVE RECOMBINATION IN EPITAXIAL PB1-XSNXSE (0 LESS-THAN-OR-EQUAL-TO X LESS-THAN-OR-APPROXIMATELY 0.4) FILMS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    GUREEV, DM; DAVARASHVILI, OI; ZASAVITSKII, II; MATSONASHVILI, BN; SHOTOV, AP
    1979г. т. 13 номер 9 стр.. 1019-1021 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1979JH15100013

  18. DETERMINATION OF THE ENERGY-BAND PARAMETERS OF PB1-XSNXSE SOLID-SOLUTIONS FROM THEIR PHOTO-LUMINESCENCE SPECTRA IN A MAGNETIC-FIELD
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    GUREEV, DM; ZASAVITSKII, II; MATSONASHVILI, BN; SHOTOV, AP
    1979г. т. 13 номер 11 стр.. 1245-1248 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1979JN61700008

  19. CW PBSE INJECTION-LASER TUNABLE BY PRESSURE
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    ZASAVITSKY, II; CHIZHEVSKY, EG; SHOTOV, AP
    1978г. т. 5 номер 3 стр.. 692-694 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1978ES52000041

  20. LASER PB1-XSNXTE HETEROSTRUCTURES
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    GIRICH, BG; GUREEV, DM; ZASAVITSKII, II; KOROPOTKINA, TI; KULYGINA, EP; MATSONASHVILI, BN; NIKOLAEV, MI все авторы
    1978г. т. 12 номер 1 стр.. 70-72 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1978FJ59000020

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория
Лаборатория узкозонных полупроводников
(Выбрать)

Период


С по
Тип



Сортировать по