Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: отделение / лаборатория
- Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии
период Все года
Найдено публикаций: 68.

Последнее обновление базы: 01.12.2021

  1. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1-x)Bi (x) thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates
    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
    De Souza, D; Alhassan, S; Alotaibi, S; Alhassni, A; Almunyif, A; Albalawi, H; Kazakov, IP; Klekovkin, AV все авторы
    2021г. т. 36 номер 7 стр.. - тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/1361-6641/abf3d1
    WoS id - WOS:000664732600001

  2. Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1-xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy
    JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
    Alhassan, S; de Souza, D; Alhassni, A; Almunyif, A; Alotaibi, S; Almalki, A; Alhuwayz, M; Kazakov, IP все авторы
    2021г. т. 885 номер стр.. - тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.jallcom.2021.161019
    WoS id - WOS:000694721200006

  3. Investigation of GaAsBi epitaxial layers for THz emitters pumped by long-wavelength fiber lasers
    OPTICAL MATERIALS
    Savinov, SA; Nagaraja, KK; Mityagin, YA; Danilov, PA; Kudryashov, SI; Ionin, AA; Kazakov, IP; Tsekhosh, VI все авторы
    2020г. т. 101 номер стр.. - (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.optmat.2020.109716
    WoS id - WOS:000527936300011

  4. EXTENDED DEFECTS IN GaAs/Ge/GaAs HETEROSTRUCTURES WITH TURNING GaAs LAYERS
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Kazakov, IP; Zinov'ev, SA; Klekovkin, AV; Sazonov, VA; Kukin, VN; Borgardt, NI
    2020г. т. 47 номер 12 стр.. 365-370 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S106833562012012X
    WoS id - WOS:000613519800001

  5. Growth of Si/Si1-xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating the Ge Molecular Flow. II. Study of Properties
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Klekovkin, AV; Kazakov, IP; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Zinov'ev, SA
    2019г. т. 46 номер 3 стр.. 89-92 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335619030047
    WoS id - WOS:000468076200004

  6. Growth of Si/Si1_xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating Ge Molecular Flow. I. Molecular Beam Epitaxy
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Kazakov, IP; Klekovkin, AV; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Uvarov, OV
    2019г. т. 46 номер 1 стр.. 5-8 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335619010020
    WoS id - WOS:000471162200002

  7. Photoreflectance Spectroscopy Study of LT-GaAs Layers Grown on Si and GaAs Substrates
    SEMICONDUCTORS
    Avakyants, LP; Bokov, PY; Kazakov, IP; Bazalevsky, MA; Deev, PM; Chervyakov, AV
    2018г. т. 52 номер 7 стр.. 849-852 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782618070023
    WoS id - WOS:000434719800006

  8. Microstructure of QD-like clusters in GaAs/In(As,Bi) heterosystems
    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
    Likhachev, IA; Trunkin, IN; Tsekhosh, VI; Prutskov, GV; Subbotin, IA; Klekovkin, AV; Pashaev, EM все авторы
    2018г. т. 33 номер 16 стр.. 2342-2349 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1557/jmr.2018.254
    WoS id - WOS:000443025100009

  9. Prompt increase of ultrashort laser pulse transmission through thin silver films
    APPLIED PHYSICS LETTERS
    Bezhanov, SG; Danilov, PA; Klekovkin, AV; Kudryashov, SI; Rudenko, AA; Uryupin, SA
    2018г. т. 112 номер 11 стр.. - (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.5020957
    WoS id - WOS:000428456800030

  10. GaAs(1-x)Bix: A Promising Material for Optoelectronics Applications
    CRITICAL REVIEWS IN SOLID STATE AND MATERIALS SCIENCES
    Nagaraja, KK; Mityagin, YA; Telenkov, MP; Kazakov, IP
    2017г. т. 42 номер 3 стр.. 239-265 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1080/10408436.2016.1186007
    WoS id - WOS:000399573000003

  11. Resonant tunneling GaAs/AlGaAs quantum well structures for p-i-n photovoltaic cells
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Nagaraja, KK; Telenkov, MP; Kazakov, IP; Savinov, SA; Mityagin, YA
    2017г. т. 44 номер 3 стр.. 72-76 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335617030058
    WoS id - WOS:000399811400005

  12. Orientation-Patterned Templates GaAs/Ge/GaAs for Nonlinear Optical Devices. I. Molecular Beam Epitaxy
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Kazakov, IP; Tsekhosh, VI; Bazalevsky, MA; Klekovkin, AV
    2017г. т. 44 номер 7 стр.. 187-191 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335617070016
    WoS id - WOS:000409092400001

  13. Orientation-patterned templates GaAs/Ge/GaAs for nonlinear optical devices. II. Investigation of properties
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Kazakov, IP; Pruchkina, AA; Bazalevsky, MA; Klekovkin, AV; Tsekhosh, VI
    2017г. т. 44 номер 8 стр.. 223-227 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335617080024
    WoS id - WOS:000409096700002

  14. Alloyed Si/Al-based ohmic contacts to AlGaN/GaN nitride heterostructures
    SEMICONDUCTORS
    Slapovskiy, DN; Pavlov, AY; Pavlov, VY; Klekovkin, AV
    2017г. т. 51 номер 4 стр.. 438-443 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782617040194
    WoS id - WOS:000400006100006

  15. Photoluminescence and infrared spectroscopy studies of thin Ge1-xSnx heterostructures
    18TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS
    Krivobok, VS; Aleshchenko, YA; Martovitsky, VM; Klekovkin, AV; Bazalevsky, MA; Mehiya, AB
    2017г. т. 816 номер стр.. - тип:

    DOI - 10.1088/1742-6596/816/1/012021
    WoS id - WOS:000426439100021

  16. Electrically stimulated high-frequency replicas of a resonant current in GaAs/AlAs resonant-tunneling double-barrier THz nanostructures
    INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO- AND NANO-ELECTRONICS 2016
    Aleksanyan, AA; Karuzskii, AL; Kazakov, IP; Mityagin, YA; Murzin, VN; Perestoronin, AV; Shmelev, SS все авторы
    2016г. т. 10224 номер стр.. - тип:

    DOI - 10.1117/12.2266863
    WoS id - WOS:000393152900024

  17. Development of GaAs/AlGaAs quantum well structures providing a resonant tunneling regime in an electric field of p-i-n junction
    MATERIALS TODAY-PROCEEDINGS
    Nagaraja, KK; Telenkov, MP; Kazakov, IP; Savinov, SA; Mityagin, YA
    2016г. т. 3 номер 8 стр.. 2744-2747 (цит. wos) 1 тип:

    DOI - 10.1016/j.matpr.2016.06.021
    WoS id - WOS:000398483700020

  18. Investigation of the thermal stability of metastable GeSn epitaxial layers
    SEMICONDUCTORS
    Martovitsky, VP; Sadofyev, YG; Klekovkin, AV; Saraikin, VV; Vasil'evskii, IS
    2016г. т. 50 номер 11 стр.. 1548-1553 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S106378261611018X
    WoS id - WOS:000387363900025

  19. Electron microscopy of an aluminum layer grown on the vicinal surface of a gallium arsenide substrate
    SEMICONDUCTORS
    Lovygin, MV; Borgardt, NI; Kazakov, IP; Seibt, M
    2015г. т. 49 номер 3 стр.. 337-344 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782615030136
    Scopus id - 2-s2.0-84924411676
    WoS id - WOS:000350807700011
    Science Index - 24015815

  20. AlGaAs/GaAs photodetectors for detection of luminescent light from scintillators
    16TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS
    Bazalevsky, M; Didenko, S; Yurchuk, S; Legotin, S; Rabinovich, O; Hrustaleva, T; Suvorova, T; Kaza
    2015г. т. 586 номер стр.. - (цит. wos) 2 тип:

    DOI - 10.1088/1742-6596/586/1/012018
    Scopus id - 2-s2.0-84930192777
    WoS id - WOS:000352352300018

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии
(Выбрать)

Период


С по
Тип



Сортировать по