Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: M-9609-2015 (Коростелин Юрий Владимирович), период Все года
Найдено публикаций: 129.

Последнее обновление базы: 01.01.2022

  1. MBE growth and characterization of ZnTe epilayers and ZnCdTe/ZnTe structures on GaAs(100) and ZnTe(100) substrates
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Kozlovsky, VI; Krysa, AB; Korostelin, YV; Sadofyev, YG
    2000г. т. 214 номер стр.. 35-39 (цит. wos) 27 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0022-0248(00)00054-3
    WoS id - WOS:000087873200010

  2. ZnSe/ZnMgSSe structures on ZnSSe substrates
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Krysa, AB; Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Shapkin, PV; Kalisch, H; Ruland, R; Heuken, M; Heime, K
    2000г. т. 214 номер стр.. 355-358 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0022-0248(00)00107-X
    WoS id - WOS:000087873200076

  3. Seeded-vapour-phase free growth and characterization of ZnTe single crystals
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Shapkin, PV
    2000г. т. 214 номер стр.. 870-874 (цит. wos) 16 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0022-0248(00)00213-X
    WoS id - WOS:000087873200184

  4. ZnMgSe/ZnCdSe-based distributed Bragg mirrors grown by molecular-beam epitaxy on ZnSe substrates
    SEMICONDUCTORS
    Kozlovskii, VI; Trubenko, PA; Korostelin, YV; Roddatis, VV
    2000г. т. 34 номер 10 стр.. 1186-1192 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1317581
    WoS id - WOS:000089524500019

  5. ZnSe/ZnMgSSe QW structures grown by MOVPE on transparent ZnSSe substrates
    MICROELECTRONIC ENGINEERING
    Krysa, AB; Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Shapkin, PV; Kalisch, H; Ruland, R; Heuken, M; Heime, K
    2000г. т. 51-2 номер стр.. 19-26 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0167-9317(99)00456-6
    WoS id - WOS:000087431500004

  6. Vapour growth and doping of ZnSe single crystals
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Nasibov, AS; Shapkin, PV
    1999г. т. 197 номер 3 стр.. 449-454 (цит. wos) 32 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0022-0248(98)00742-8
    WoS id - WOS:000078603600009

  7. Study of ZnCdSe/ZnSe quantum-wells grown by molecular-beam epitaxy on ZnSe substrates
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Kozlovsky, VI; Trubenko, PA; Dianov, EM; Korostelin, YV; Krysa, AB; Shapkin, PV
    1998г. т. 184 номер стр.. 872-876 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000072653800178

  8. Seeded vapour-phase free growth of ZnSe single crystals in the [100]direction
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Nasibov, AS; Shapkin, PV; Lee, SK; Park, SS; Han, JY; Lee, SH
    1998г. т. 184 номер стр.. 1010-1014 (цит. wos) 18 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0022-0248(98)80211-X
    WoS id - WOS:000072653800207

  9. Semiconductor laser with longitudinal electron-beam pumping and based on a quantum-well ZnCdSe/ZnSe structure grown on a ZnSe substrate by molecular beam epitaxy (vol 28, pg 294, 1998)
    QUANTUM ELECTRONICS
    Kozlovskii, VI; Trubenko, PA; Dianov, EM; Korostelin, YV; Skasyrskii, YK; Shapkin, PV
    1998г. т. 28 номер 5 стр.. 468-468 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1070/QE1998v028n05ABEH001271
    WoS id - WOS:000074898300023

  10. Semiconductor laser with longitudinal electron-beam pumping and based on a quantum-well ZnCdSe/ZnSe structure grown on a ZnSe substrate by molecular beam epitaxy
    QUANTUM ELECTRONICS
    Kozlovskii, VI; Trubenko, PA; Dianov, EM; Korostelin, YV; Skasyrskii, YK; Shapkin, PV
    1998г. т. 28 номер 4 стр.. 294-296 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1070/QE1998v028n04ABEH001226
    WoS id - WOS:000074265400007

  11. ZnSe/ZnMgSSe QW structures grown by MOVPE on ZnSe(100), ZnSe(511) and GaAs(100) substrates
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Kozlovsky, VI; Krysa, AB; Korostelin, YV; Shapkin, PV; Kalisch, H; Luenenbuerger, M; Heuken, M
    1998г. т. 184 номер стр.. 124-128 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0022-0248(98)80307-2
    WoS id - WOS:000072653800026

  12. Vapour phase and liquid phase doping of ZnSe by group III elements
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Georgobiani, AN; Aminov, UA; Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Nasibov, AS; Shapkin, PV
    1998г. т. 184 номер стр.. 470-474 (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0022-0248(98)80098-5
    WoS id - WOS:000072653800094

  13. Study of ZnCdSe/ZnSe quantum wells grown by molecular-beam epitaxy on ZnSe substrates
    SEMICONDUCTORS
    Kozlovskii, VI; Artemov, AS; Korostelin, YV; Krysa, AB; Shapkin, PV; Trubenko, PA; Dianov, EM
    1997г. т. 31 номер 6 стр.. 545-550 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1187214
    WoS id - WOS:A1997XF84500001

  14. Vapour growth of II-VI solid solution single crystals
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Nasibov, AS; Shapkin, PV
    1996г. т. 159 номер 1-4 стр.. 181-185 (цит. wos) 48 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0022-0248(95)00833-0
    WoS id - WOS:A1996UH32400040

  15. Vapour growth and characterization of bulk ZnSe single crystals
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Nasibov, AS; Shapkin, PV
    1996г. т. 161 номер 1-4 стр.. 51-59 (цит. wos) 53 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0022-0248(95)00611-7
    WoS id - WOS:A1996UL38100010

  16. Thermodynamic analysis of the vapor growth of Zn1-xCdxSe single crystals
    INORGANIC MATERIALS
    Kozlovskii, VI; Korostelin, YV
    1996г. т. 32 номер 3 стр.. 266-271 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1996UM06800008

  17. FORMATION OF HYDROGEN-CONTAINING COMPLEXES IN ZNTE SINGLE-CRYSTALS ANNEALED IN H-PLASMA AND THEIR DECOMPOSITION UNDER HIGH-ENERGY ELECTRON-IRRADIATION
    INORGANIC MATERIALS
    KOZLOVSKII, VI; KOROSTELIN, YV; KRYSA, AB; SKASYRSKII, YK
    1995г. т. 31 номер 10 стр.. 1201-1205 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1995TD99300018

  18. EXCITON SPECTROSCOPY OF SEMICONDUCTOR-MATERIALS USED IN LASER ELEMENTS
    PHYSICAL CONCEPTS OF MATERIALS FOR NOVEL OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS I : MATERIALS GROWTH AND CHARACTERIZATION, PTS 1 AND 2
    NASIBOV, AS; MARKOV, LS; FEDOROV, DL; SHAPKIN, PV; KOROSTELIN, YV; MACHINTSEV, GA
    1991г. т. 1361 номер стр.. 901-908 тип:

    DOI - 10.1117/12.24314
    WoS id - WOS:A1991BT01M00093

  19. EXCITON LUMINESCENCE IN IDEAL SOLID-SOLUTIONS (ZNXCD1-XSE SYSTEM, 0 LESS-THAN X LESS-THAN 1)
    SOLID STATE COMMUNICATIONS
    NASIBOV, AS; KOROSTELIN, YV; SHAPKIN, PV; SUSLINA, LG; FEDOROV, DL; MARKOV, LS
    1989г. т. 71 номер 10 стр.. 867-869 (цит. wos) 43 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0038-1098(89)90214-7
    WoS id - WOS:A1989AL14900019

  20. EXCITON LUMINESCENCE OF IDEAL SOLID-SOLUTIONS (THE ZNXCD1-XSE SYSTEM WITH 0 LESS-THAN X LESS-THAN 1)
    JETP LETTERS
    NASIBOV, AS; SUSLINA, LG; FEDOROV, DL; KOROSTELIN, YV; SHAPKIN, PV; MARKOV, LS
    1989г. т. 49 номер 7 стр.. 435-438 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1989AM18800006

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по