INFLUENCE OF ION-IMPLANTATION ON THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GES
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
AKIMCHENKO, IP; ZAVETOVA, M; KRASNOPEVTSEV, VV; RASULOVA, GK; CHERNOOK, SG
1980г. т. 14 номер 7 стр.. 741-743 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1980KT98800002

OPTICAL AND PHOTO-ELECTRIC PROPERTIES OF GERMANIUM DOPED BY IMPLANTATION OF SI IONS
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
AKIMCHENKO, IP; ZAVETOVA, M; RASULOVA, GK
1978г. т. 12 номер 6 стр.. 669-671 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1978FY91900015