Unipolar lasers on the structures with variable dimensionality of electronic states
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV
2011г. т. 26 номер 1 стр.. - (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0268-1242/26/1/014021
Scopus id - 2-s2.0-79551714799
WoS id - WOS:000285382000023
Science Index - 16842960

Multiperiodic structure for unipolar fountain laser
QUANTUM ELECTRONICS
Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Sadof'ev, YG; Skorikov, ML
2010г. т. 40 номер 8 стр.. 685-690 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1070/QE2010v040n08ABEH014346
WoS id - WOS:000283054500004

STRUCTURES WITH VARIABLE DIMENSIONALITY OF ELECTRONIC STATES FOR UNIPOLAR LASERS
JOURNAL OF RUSSIAN LASER RESEARCH
Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV
2010г. т. 31 номер 6 стр.. 533-553 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1007/s10946-010-9175-x
WoS id - WOS:000285099400003

Electric-field control of the occupancy of the upper laser subband in quantum-well structures with asymmetric barriers designed for unipolar laser operation
SEMICONDUCTORS
Aleshchenko, YA; Zhukov, AE; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kop'ev, PS; Ustinov, VM
2008г. т. 42 номер 7 стр.. 838-844 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782608070142
WoS id - WOS:000257584600014

Behavior of electron states in GaAs/AlGaAs double quantum well structure with strongly asymmetric barriers in an external electric field
International Journal of Nanoscience, Vol 3, Nos 1 and 2
Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kop'ev, PS; Ustinov, VM; Zhukov, AE
2004г. т. 3 номер 1-2 стр.. 203-211 (цит. wos) 3 тип: труды

DOI - 10.1142/S0219581X04001997
WoS id - WOS:000245881200025

Peculiarities of electron spectrum rearrangement for the double-well heterostructure GaAs/AlGaAs with a variable dimensionality of electronic states in an external electric field
JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
Aleshchenko, YA; Zhukov, AE; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kop'ev, PS; Ustinov, VM
2004г. т. 98 номер 4 стр.. 770-779 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1757677
WoS id - WOS:000221538300017

Unipolar semiconductor lasers on asymmetric quantum wells
NANOTECHNOLOGY
Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kornyakov, NV
2000г. т. 11 номер 4 стр.. 206-210 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0957-4484/11/4/302
WoS id - WOS:000165958500003

Unipolar semiconductor lasers on asymmetric quantum wells
ALT'99 INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED LASER TECHNOLOGIES
Aleshchenko, Y; Kapaev, V; Kopaev, Y
2000г. т. 4070 номер стр.. 132-137 (цит. wos) 2 тип: труды

DOI - 10.1117/12.378147
WoS id - WOS:000086321300018

Interference ionization of impurity by electric field in coupled quantum wells
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kornyakov, NV; Tyurin, AE
2000г. т. 15 номер 6 стр.. 579-584 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0268-1242/15/6/316
WoS id - WOS:000087585500017

Interference ionization of an impurity by an electric field in a system of quantum wells
JETP LETTERS
Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kornyakov, NV; Tyurin, AE
1999г. т. 69 номер 3 стр.. 207-214 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.568008
WoS id - WOS:000079412000008

Transformation of the dimensionality of excitonic states in quantum wells with asymmetric barriers in an electric field
JETP LETTERS
Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV
1998г. т. 67 номер 3 стр.. 222-226 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.567654
WoS id - WOS:000072586400009

Electric and magnetic field dependent dimensionality of electronic states in quantum-scale semiconducting and superconducting heterostructures
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B
Kopaev, YV; Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Tokatly, IV
1998г. т. 12 номер 29-31 стр.. 2932-2934 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1142/S0217979298001794
WoS id - WOS:000079114500009

Geometrical parameter fluctuations and localized electronic states in quantum-scale structures
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Melnik, NN
1997г. т. 12 номер 12 стр.. 1565-1573 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0268-1242/12/12/004
WoS id - WOS:A1997YK73900004

Equidistant spectrum of localized states due to fluctuations of the parameters in quantum-well structures
JETP LETTERS
Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Melnik, NN
1996г. т. 63 номер 4 стр.. 278-284 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.567007
WoS id - WOS:A1996UG08200009

Photoluminescence with moderate excitation and resonant Raman scattering in GaAs/AlGaAs superlattices
SEMICONDUCTORS
Aleshchenko, YA; Zavaritskaya, TN; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Melnik, NN
1996г. т. 30 номер 5 стр.. 436-439 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1996UM65200006

RESONANT RAMAN-SCATTERING AND REDISLOCATION EFFECTS IN GAAS/ALGAAS
JETP LETTERS
ALESHCHENKO, YA; ZAVARITSKAYA, TN; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV; MELNIK, NN
1994г. т. 59 номер 4 стр.. 255-259 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1994NF72700007

LONG-RANGE EFFECT IN ION-IMPLANTED GAAS
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS
ALESHCHENKO, YA; BOBROVA, EA; VAVILOV, VS; VODOPYANOV, LK; GALKIN, GN; CHUKICHEV, MV; RESVANOV, RR все авторы
1993г. т. 125 номер 4 стр.. 323-331 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1080/10420159308220210
WoS id - WOS:A1993KX68300004

MAGNETIC-FIELD-INDUCED PHOTOVOLTAIC EFFECT IN AN ASYMMETRIC SYSTEM OF QUANTUM-WELLS
JETP LETTERS
ALESHCHENKO, YA; VORONOVA, ID; GRISHECHKINA, SP; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV; KUCHERENKO, IV; KADUSHKIN, VI все авторы
1993г. т. 58 номер 5 стр.. 384-388 (цит. wos) 21 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1993MF05700013

APPEARANCE OF ELASTIC STRESSES BEYOND THE BOUNDARY OF A REGION IN GAAS AMORPHIZED BY ION-IMPLANTATION
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
ALESHCHENKO, YA; VODOPYANOV, LK
1991г. т. 25 номер 7 стр.. 760-761 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1991GZ55900023

CHARACTERISTICS OF DISORDERING OF GAAS BY IMPLANTATION OF NITROGEN-IONS
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
AKIMCHENKO, IP; ALESHCHENKO, YA; DYMOVA, NN; ZAVETOVA, M; KRASNOPEVTSEV, VV
1989г. т. 23 номер 6 стр.. 682-683 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1989CB75100030