PT-symmetry breaking in resonant tunneling heterostructures
JETP LETTERS
Gorbatsevich, AA; Shubin, NM
2016г. т. 103 номер 12 стр.. 769-773 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364016120031
WoS id - WOS:000382283500007

Localized electronic states in branching polyacetylene molecules
JETP LETTERS
Gorbatsevich, AA; Zhuravlev, MN
2015г. т. 100 номер 9 стр.. 576-580 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364014210061
Scopus id - 2-s2.0-84921908373
WoS id - WOS:000348305300008
Science Index - 23970116

Dynamic characteristics of "low-temperature" gallium arsenide for terahertz-range generators and detectors
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Gorbatsevich, AA; Egorkin, VI; Kazakov, IP; Klimenko, OA; Klokov, AY; Mityagin, YA; Murzin, VN; Savinov, SA все авторы
2015г. т. 42 номер 5 стр.. 121-126 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335615050012
Scopus id - 2-s2.0-84930675687
WoS id - WOS:000355703900001
Science Index - 24046151

Two-dimensional hexagonal photonic crystal with new element geometry
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Gorbatsevich, AA; Friman, AV; Gorelik, VS
2014г. т. 41 номер 6 стр.. 175-179 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335614060050
Scopus id - 2-s2.0-84903839628
WoS id - WOS:000339113100005
Science Index - 24064561

In memory of Yurii Vasil'evich Kopaev
PHYSICS-USPEKHI
Alferov, ZI; Andreev, AF; Aseev, AL; Bagaev, SN; Belyavskii, VI; Gorbatsevich, AA; Elesin, VF; Keldysh, LV все авторы
2013г. т. 56 номер 5 стр.. 531-532 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3367/UFNe.0183.201305j.0557
WoS id - WOS:000322890700008

Comprehensive study of structural and optical properties of LT-GaAs epitaxial structures
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Burbaev, TM; Gorbatsevich, AA; Egorkin, VI; Kazakov, IP; Martovitskii, VP; Mel'nik, NN; Mityagin, YA все авторы
2013г. т. 40 номер 8 стр.. 219-224 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335613080022
Scopus id - 2-s2.0-84884154869
WoS id - WOS:000324330800002
Science Index - 20455447

Optical properties of photonic crystals filled with iodine vapor
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Gorbatsevich, AA; Gorelik, VS; Friman, AV
2013г. т. 40 номер 2 стр.. 44-49 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335613020048
Scopus id - 2-s2.0-84874815019
WoS id - WOS:000316010500004
Science Index - 20432667

Resonance reflection of light by a periodic system of excitons in GaAs/AlGaAs quantum wells
SEMICONDUCTORS
Chaldyshev, VV; Kundelev, EV; Nikitina, EV; Egorov, AY; Gorbatsevich, AA
2012г. т. 46 номер 8 стр.. 1016-1019 (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782612080052
WoS id - WOS:000307293700011

Passive modelocking due to diagonal optical transition in asymmetric double quantum well
ELECTRONICS LETTERS
Buyalo, MS; Gadzhiyev, IM; Gorbacevich, AA; Egorov, AY; Bakshaev, IO; Zadiranov, YM; Il'inskaya, ND все авторы
2012г. т. 48 номер 14 стр.. 870-871 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1049/el.2012.1181
WoS id - WOS:000306709400043

Charge and Spin Topological Insulators
CRYSTALLOGRAPHY REPORTS
Kopaev, YV; Gorbatsevich, AA; Belyavskii, VI
2011г. т. 56 номер 5 стр.. 848-857 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063774511050257
Scopus id - 2-s2.0-80455176376
WoS id - WOS:000297373300011
Science Index - 18012342

Zhores Ivanovich Alferov (on his 80th birthday)
PHYSICS-USPEKHI
Andreev, AF; Aseev, AL; Velikhov, EP; Gorbatsevich, AA; Gulyaev, YV; Zhukov, AE; Keldysh, LV; Krasnikov, GY все авторы
2010г. т. 53 номер 3 стр.. 319-320 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3367/UFNe.0180.201003l.0333
WoS id - WOS:000280435100010

Magnetoelectricity (Scientific session of the Physical Sciences Division of the Russian Academy of Sciences, 20 January 2009)
PHYSICS-USPEKHI
Gorbatsevich, AA; Omel'yanovskii, OE; Tsebro, VI; Zvezdin, AK; Pyatakov, AP; Mukhin, AA; Ivanov, VY все авторы
2009г. т. 52 номер 8 стр.. 835-845 (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3367/UFNe.0179.200908g.0887
WoS id - WOS:000273727200007

Topological Bound States
JETP LETTERS
Gorbatsevich, AA; Zhuravlev, MN
2009г. т. 90 номер 8 стр.. 582-586 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364009200077
WoS id - WOS:000273574900007

Collapse of resonances in semiconductor heterostructures as a transition with symmetry breaking in an open quantum system
JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
Gorbatsevich, AA; Zhuravlev, MN; Kapaev, VV
2008г. т. 107 номер 2 стр.. 288-301 (цит. wos) 16 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S106377610808013X
WoS id - WOS:000259570600013

Quasi-reflectionless potentials in semiconductor nanoheterostructures
SEMICONDUCTORS
Gorbatsevich, AA; Zhuravlev, MN; Kapaev, VV
2008г. т. 42 номер 13 стр.. 1455-1461 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782608130010
WoS id - WOS:000261792200001

Yurii Vasil'evich Kopaev (on his 70th birthday)
PHYSICS-USPEKHI
Alferov, ZI; Andreev, AF; Aseev, AL; Bagaev, SN; Ginzburg, VL; Gorbatsevich, AA; Elesin, VF; Keldysh, LV все авторы
2007г. т. 50 номер 11 стр.. 1189-1190 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1070/PU2007v050n11ABEH006497
WoS id - WOS:000253900700006

"Dark matter" in crystals: Objects invisible in low-energy electron scattering
JETP LETTERS
Gorbatsevich, AA
2006г. т. 84 номер 11 стр.. 593-597 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364006230056
WoS id - WOS:000244296300005

Effect of deep trapping levels on the excess noise in GaAs high-energy particle detectors
JOURNAL OF COMMUNICATIONS TECHNOLOGY AND ELECTRONICS
Zhigal'skii, GP; Bespalov, VA; Gorbatsevich, AA; Il'ichev, EA; Shmelev, SS; Andrushchenko, SA; Rodi
2005г. т. 50 номер 6 стр.. 667-672 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:000230358600010

Electrophysical properties of GaAs layers and the characteristics of fast particle GaAs detectors
TECHNICAL PHYSICS
Bespalov, VA; Vorontsov, AV; Gorbatsevich, AA; Egorkin, VI; Zhigal'skii, GP; Il'ichev, EA; Kulakov, AV все авторы
2004г. т. 49 номер 3 стр.. 310-317 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1688416
WoS id - WOS:000220184100006

Current spreading in contact layers and model for 2D numerical calculation of resonant-tunneling diode
SOLID-STATE ELECTRONICS
Biryulin, PI; Gorbatsevich, AA; Tsibizov, AG
2003г. т. 47 номер 5 стр.. 769-774 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0038-1101(02)00339-8
WoS id - WOS:000181790900002