ZnSe/ZnMgSSe QW structures grown by MOVPE on transparent ZnSSe substrates
MICROELECTRONIC ENGINEERING
Krysa, AB; Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Shapkin, PV; Kalisch, H; Ruland, R; Heuken, M; Heime, K
2000г. т. 51-2 номер стр.. 19-26 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0167-9317(99)00456-6
WoS id - WOS:000087431500004

Band alignment in ZnCdTe/ZnTe and ZnCdSe/ZnSe SQW structures grown on GaAs(100) by MBE
NANOTECHNOLOGY
Kozlovsky, VI; Sadofyev, YG; Litvinov, VG
2000г. т. 11 номер 4 стр.. 241-245 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0957-4484/11/4/310
WoS id - WOS:000165958500011

MBE growth and characterization of ZnTe epilayers and ZnCdTe/ZnTe structures on GaAs(100) and ZnTe(100) substrates
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Kozlovsky, VI; Krysa, AB; Korostelin, YV; Sadofyev, YG
2000г. т. 214 номер стр.. 35-39 (цит. wos) 27 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0022-0248(00)00054-3
WoS id - WOS:000087873200010

ZnSe/ZnMgSSe structures on ZnSSe substrates
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Krysa, AB; Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Shapkin, PV; Kalisch, H; Ruland, R; Heuken, M; Heime, K
2000г. т. 214 номер стр.. 355-358 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0022-0248(00)00107-X
WoS id - WOS:000087873200076

Cathodoluminescence and TEM studies of MBE-grown CdSe submonolayers in ZnSe matrix, cladded by ZnSSe, ZnSe and ZnMgSe
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Trubenko, PA; Kozlovsky, VI; Roddatis, VV
2000г. т. 214 номер стр.. 671-675 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0022-0248(00)00175-5
WoS id - WOS:000087873200141

Seeded-vapour-phase free growth and characterization of ZnTe single crystals
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Shapkin, PV
2000г. т. 214 номер стр.. 870-874 (цит. wos) 16 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0022-0248(00)00213-X
WoS id - WOS:000087873200184

Deep-level transient spectroscopy and cathodoluminescence of CdxZn1-xTe/ZnTe QW structures grown on GaAs(100) by MBE
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Kozlovsky, VI; Sadofyev, YG; Litvinov, VG
2000г. т. 214 номер стр.. 983-987 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0022-0248(00)00227-X
WoS id - WOS:000087873200207

Effect of ultrasound and light on the dissipative properties of CdS. 2. High resistance crystals
RUSSIAN ULTRASONICS
Bushueva, GV; Zinenkova, GM; Kozlovskii, VI; Polyakova, IG; Tyapushina, NA
2000г. т. 30 номер 1 стр.. 1-11 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:000089869200001

Cathodoluminescence and Raman scattering in Ga1-xAlxP epitaxial films
SEMICONDUCTORS
Vodop'yanov, LK; Kozlovskii, VI; Mel'nik, NN
2000г. т. 34 номер 4 стр.. 405-409 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1187996
WoS id - WOS:000086055500007

Band offsets in Zn1-xCdxTe/ZnTe single-quantum-well structures grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(001) substrates
SEMICONDUCTORS
Kozlovskii, VI; Litvinov, VG; Sadof'ev, YG
2000г. т. 34 номер 8 стр.. 960-964 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1188108
WoS id - WOS:000088787100020

ZnMgSe/ZnCdSe-based distributed Bragg mirrors grown by molecular-beam epitaxy on ZnSe substrates
SEMICONDUCTORS
Kozlovskii, VI; Trubenko, PA; Korostelin, YV; Roddatis, VV
2000г. т. 34 номер 10 стр.. 1186-1192 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1317581
WoS id - WOS:000089524500019

Zinc telluride epilayers and CdZnTe ZnTe quantum wells grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(100) substrates using solid-phase crystallization of an amorphous ZnTe seed layer
SEMICONDUCTORS
Kozlovskii, VI; Krysa, AB; Sadof'ev, YG; Tur'yanskii, AG
1999г. т. 33 номер 7 стр.. 744-748 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1187774
WoS id - WOS:000081456600011

Vapour growth and doping of ZnSe single crystals
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Nasibov, AS; Shapkin, PV
1999г. т. 197 номер 3 стр.. 449-454 (цит. wos) 32 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0022-0248(98)00742-8
WoS id - WOS:000078603600009

E-beam pumped blue-green VCSEL based on ZnCdSe/ZnSe MQW structure grown by MBE on ZnSe substrate
LASER PHYSICS
Kozlovsky, VI; Trubenko, PA; Skasyrsky, YK
1998г. т. 8 номер 6 стр.. 1118-1123 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:000077665600002

ZnSe/ZnMgSSe QW structures grown by MOVPE on ZnSe(100), ZnSe(511) and GaAs(100) substrates
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Kozlovsky, VI; Krysa, AB; Korostelin, YV; Shapkin, PV; Kalisch, H; Luenenbuerger, M; Heuken, M
1998г. т. 184 номер стр.. 124-128 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0022-0248(98)80307-2
WoS id - WOS:000072653800026

Electron beam activation of acceptors in MOVPE ZnSe : N
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Kozlovsky, VI; Krysa, AB; Taudt, W; Heuken, M
1998г. т. 184 номер стр.. 435-439 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0022-0248(98)80091-2
WoS id - WOS:000072653800087

Vapour phase and liquid phase doping of ZnSe by group III elements
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Georgobiani, AN; Aminov, UA; Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Nasibov, AS; Shapkin, PV
1998г. т. 184 номер стр.. 470-474 (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0022-0248(98)80098-5
WoS id - WOS:000072653800094

Study of ZnCdSe/ZnSe quantum-wells grown by molecular-beam epitaxy on ZnSe substrates
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Kozlovsky, VI; Trubenko, PA; Dianov, EM; Korostelin, YV; Krysa, AB; Shapkin, PV
1998г. т. 184 номер стр.. 872-876 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:000072653800178

Seeded vapour-phase free growth of ZnSe single crystals in the [100]direction
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Korostelin, YV; Kozlovsky, VI; Nasibov, AS; Shapkin, PV; Lee, SK; Park, SS; Han, JY; Lee, SH
1998г. т. 184 номер стр.. 1010-1014 (цит. wos) 18 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0022-0248(98)80211-X
WoS id - WOS:000072653800207

Semiconductor laser with longitudinal electron-beam pumping and based on a quantum-well ZnCdSe/ZnSe structure grown on a ZnSe substrate by molecular beam epitaxy (vol 28, pg 294, 1998)
QUANTUM ELECTRONICS
Kozlovskii, VI; Trubenko, PA; Dianov, EM; Korostelin, YV; Skasyrskii, YK; Shapkin, PV
1998г. т. 28 номер 5 стр.. 468-468 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1070/QE1998v028n05ABEH001271
WoS id - WOS:000074898300023