Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: G-9860-2013 (Тимошенко Виктор Юрьевич), период Все года
Найдено публикаций: 377.

Последнее обновление базы: 01.04.2022

  1. CARRIER RECOMBINATION IN POROUS SILICON
    SEMICONDUCTORS
    KASHKAROV, PK; TIMOSHENKO, VY; KONSTANTINOVA, EA; PETROVA, SA
    1994г. т. 28 номер 1 стр.. 60-62 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1994NB54400015

  2. Influence of surface defects on porous silicon luminescence
    THIN FILMS: PROCEEDINGS OF THE JOINT 4TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON TRENDS AND NEW APPLICATIONS IN THIN FILMS - TATF '94 AND THE 11TH CONFERENCE ON HIGH VACUUM, INTERFACES AND THIN FILMS - HVITF '94
    DITTRICH, T; FLIETNER, H; TIMOSHENKO, VY; KASHKAROV, PK
    1994г. т. номер стр.. 490-493 тип: труды

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1994BD74L00108

  3. INFLUENCE OF H2O ATMOSPHERE ON THE PHOTOLUMINESCENCE OF HF-PASSIVATED POROUS SILICON
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    DITTRICH, T; TIMOSHENKO, VY
    1994г. т. 75 номер 10 стр.. 5436-5437 (цит. wos) 13 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.355700
    WoS id - WOS:A1994NN73200091

  4. INVESTIGATION OF POROUS SILICON BY RAMAN-SCATTERING AND 2ND-HARMONIC GENERATION TECHNIQUES
    DESIGN, SIMULATION, AND FABRICATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES AND CIRCUITS
    GOLOVAN, LA; ZOTEYEV, AV; KASHKAROV, PK; TIMOSHENKO, VY
    1994г. т. 2150 номер стр.. 61-64 тип: труды

    DOI - 10.1117/12.175015
    WoS id - WOS:A1994BA43F00007

  5. RELAXATION MECHANISMS OF ELECTRONIC EXCITATION IN NANOSTRUCTURES OF POROUS SILICON
    DESIGN, SIMULATION, AND FABRICATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES AND CIRCUITS
    KASHKAROV, PK; KONSTANTINOVA, EA; TIMOSHENKO, VY
    1994г. т. 2150 номер стр.. 65-70 тип: труды

    DOI - 10.1117/12.174977
    WoS id - WOS:A1994BA43F00008

  6. STUDY OF POROUS SILICON BY THE RAMAN LIGHT-SCATTERING AND 2ND HARMONICS GENERATION
    PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
    GOLOVAN, LA; ZOTEEV, AV; KASHKAROV, PK; TIMOSHENKO, VY
    1994г. т. 20 номер 8 стр.. 66-69 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1994PR76400014

  7. LASER-INDUCED MODIFICATION OF CDTE OPTOELECTRONIC PROPERTIES
    LASER MATERIALS PROCESSING: INDUSTRIAL AND MICROELECTRONICS APPLICATIONS
    KASHKAROV, PK; TIMOSHENKO, VY
    1994г. т. 2207 номер стр.. 830-835 тип: труды

    DOI - 10.1117/12.184711
    WoS id - WOS:A1994BB64C00084

  8. INTENSE PHOTOLUMINESCENCE IN POROUS GALLIUM-PHOSPHIDE
    JETP LETTERS
    BELOGOROKHOV, AI; KARAVANSKII, VA; OBRAZTSOV, AN; TIMOSHENKO, VY
    1994г. т. 60 номер 4 стр.. 274-279 (цит. wos) 54 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1994PM03200008

  9. THE DEFECT FORMATION IN GALLIUM-PHOSPHIDE INDUCED BY WEAKLY ABSORBED LASER-PULSES
    VESTNIK MOSKOVSKOGO UNIVERSITETA SERIYA 3 FIZIKA ASTRONOMIYA
    VISKOVATYKH, IY; KASHKAROV, PK; TIMOSHENKO, VY
    1993г. т. 34 номер 6 стр.. 89-91 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1993NU06700017

  10. THE INFLUENCE OF PULSE LASER IRRADIATION ON LUMINESCENCE PROPERTIES OF CADMIUM TELLURIDE
    IZVESTIYA AKADEMII NAUK SERIYA FIZICHESKAYA
    VISKOVATIKH, IY; LAKEENKOV, VM; KASHKAROV, PK; PETROV, VI; TIMOSHENKO, VY; KHILINSKIJ, FI
    1993г. т. 57 номер 9 стр.. 12-16 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1993MC90100004

  11. Laser-Induced Defect Formation and Phase Transition in III-V-Compounds
    LASER PHYSICS
    Kashkarov, PK; Timoshenko, VY; Chechenin, NG; Obraztsov, AN
    1992г. т. 2 номер 5 стр.. 790-794 (цит. wos) 17 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000207073700019

  12. MODIFICATION OF THE SPECTRUM OF SHALLOW STATES IN GALLIUM-ARSENIDE BY THE ACTION OF LASER-RADIATION PULSES
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    KASHKAROV, PK; TIMOSHENKO, VY
    1992г. т. 26 номер 7 стр.. 738-739 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1992JZ80800017

  13. MODIFICATION OF THE REFLECTION COEFFICIENT OF III-V SEMICONDUCTORS BY PULSED LASER BOMBARDMENT
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    KASHKAROV, PK; RUSINA, MV; TIMOSHENKO, VY
    1992г. т. 26 номер 10 стр.. 1030-1031 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1992KH47800023

  14. PECULIARITY OF LASER-INDUCED PHASE-TRANSITIONS IN SEMICONDUCTORS A3B5
    IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA
    KASHKAROV, PK; PETROV, VI; TIMOSHENKO, VY
    1991г. т. 55 номер 8 стр.. 1655-1659 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1991GU95400037

  15. LASER-INDUCED MODIFICATION OF N-GAAS BELOW THE CLASSICAL MELTING THRESHOLD
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
    DITTRICH, T; TIMOSHENKO, VI
    1990г. т. 121 номер 2 стр.. 547-554 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1002/pssa.2211210225
    WoS id - WOS:A1990EM63500024

  16. FORMATION OF ORDERED STRUCTURES ON THE SURFACE OF GAAS AS A RESULT OF PULSED LASER IRRADIATION
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    KASHKAROV, PK; PETROV, VI; PTITSYN, DV; TIMOSHENKO, VY
    1989г. т. 23 номер 11 стр.. 1287-1288 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1989DA94300034

  17. INFLUENCE OF INITIAL GAAS CRYSTAL DEFECTS ON LASER-INDUCED RECOMBINATION CENTER MODIFICATION
    VESTNIK MOSKOVSKOGO UNIVERSITETA SERIYA 3 FIZIKA ASTRONOMIYA
    BEGICHEV, IS; KASHKAROV, PK; TIMOSHENKO, VY
    1989г. т. 30 номер 6 стр.. 77-79 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1989CH74600017

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по