Acomprehensive experimental investigation of exciton and biexciton recombination in GaAs/AlGaAs quantum wells is presented. Exciton and biexciton recombination times are found to be 16 and 55 ps, respectively.Amethod of determining the dynamics of the exciton temperature is developed. It is shown that both exciton and biexciton recombination processes increase the exciton temperature by an amount as high as ∼10 K. These processes impose a new restriction on the possibility of exciton Bose-Einstein condensation and make impossible its achievement in a system of direct excitons in GaAs quantum wells even for resonantly excited exciton gas. 10.1103/PhysRevB.92.045307

В мелких квантовых ямах (КЯ) GaAs/AlGaAs (x = 0.05) методом фотолюминесценции изучены кинетики накопления и релаксации долгоживущих избыточных дырок, появляющихся в КЯ при надбарьерном фотовозбуждении, а также процессы установления стационарного состояния в неравновесной электронно-дырочной системе при различных комбинациях квазистационарных внутриямного и надбарьерного возбуждений. Обнаружено, что температурная зависимость времени релаксации (исчезновения) избыточных дырок из КЯ имеет активационный характер и определяется двумя энергиями активации. Установлено, что рассеяние экситонов, образующихся при нерезонансном внутриямном возбуждении, на долгоживущих дырках приводит к охлаждению экситонной системы. 10.1134/S0021364015030054

Проведено исследование низкочастотной эффективной диэлектрической проницаемости островковых металлических пленок в зависимости от частоты электрического поля. Обнаружено, что низкочастотная эффективная диэлектрическая проницаемость имеет сложную зависимость от частоты электрического поля, на которой происходят измерения. Найдено, что на частотах электрического поля f=1 kHz диэлектрическая проницаемость является положительной величиной (varepsilon~108). С увеличением частоты электрического поля величина диэлектрической проницаемости уменьшается, а в однослойной FeNi-пленке толщиной d=8 Angstrem на частоте f~10 kHz она равняется нулю (varepsilon~0). При дальнейшем увеличении частоты электрического поля диэлектрическая проницаемость становится отрицательной и на частоте f=100 kHz достигает значения varepsilon~-108. Установлено, что рост эффективной диэлектрической проницаемости островковых металлических пленок с уменьшением частоты электрического поля связан с активационными или туннельными процессами в островковых пленках. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ N 14-02-00360-а. journals.ioffe.ru/ftt/2015/10/page-2043.html.ru

We report the dc transport (5 K ≲ T ≲ 380 K) and spectroscopic ellipsometry (0.8 eV   hν  8.5 eV, T ≃ 300 K) study of β-Ta films prepared by rf sputtering deposition as a function of their thickness in the range 2.5 nm ≲ d ≲ 200 nm. The dc transport of the β-Ta films with a thickness d ≳ 25 nm is characterized by negative temperature coefficient of resistivity (TCR) caused by localization effects peculiar of highly disordered metals. Their dielectric function spectra display non-metallic-like behavior due to the presence of the pronounced band at 2 eV. We found that with increasing TCR absolute value, specifying elevated degree disorder, the optical spectral weight (SW) of free charge carriers decreases. The associated SW is recovered in the range of Mott-Hubbard transitions, indicating the mechanism of localization enhancement by electronic correlations in disordered metals. 10.1063/1.4907862

Измерены спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в сверхрешетках CdTe/ZnTe со слоями квантовых точек CdTe в интервале температур 5-85 K. Обнаружены три полосы излучения, которые мы связываем с люминесценцией двумерных смачивающих слоев, прямых и пространственно непрямых экситонов в квантовых точках. Изучено влияние ширины барьерного слоя ZnTe в интервале 2-50 ML на энергию и ширину линий излучения квантовых точек и смачивающего слоя. Измерены температурные зависимости интенсивности фотолюминесценции прямого и непрямого экситонов и определены соответствующие энергии активации температурного тушения люминесценции. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 140 200 436). journals.ioffe.ru/ftt/2015/03/page-598.html.ru

Измерены коэффициенты отражения наноструктур PbTe/CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой элитаксии, в интервале частот 20-5000 см-1 при комнатной температуре. Из дисперсионного анализа определены толщины слоев PbTe и CdTe, высокочастотные диэлектрические проницаемости слоев и частоты поперечных оптических (TO) фононов. Обнаружено, что во всех исследуемых образцах существуют две частоты TO фононов, равные 28 и 47 см-1. Первая частота близка к частоте TO фонона объемного PbTe, вторую частоту мы связываем с оптической модой в структурно деформированном слое на интерфейсе. Измерены спектры комбинационного рассеяния света при возбуждении излучением Ar+-лазера с длиной волны 514.5 нм при комнатной и азотной температурах. Обнаружена мода при частоте 106 см-1, которую мы связываем с продольным оптическим (LO) фононом в слое на интерфейсе. journals.ioffe.ru/ftp/2015/05/page-658.html.ru

Измерены спектры инфракрасного отражения и нарушенного полного внутреннего отражения пленки топологического изолятора (111)Si/Bi2Se3. Методом дисперсионного анализа спектров отражения получены параметры плазмонов и фононов в приповерхностных слоях у границы раздела Si - пленка. Обнаружено, что концентрация носителей у границы раздела значительно превышает концентрацию в объеме пленки. Определены дисперсионные зависимости поверхностных поляритонов и волноводных мод. www.jetpletters.ac.ru/ps/2088/article_31403.shtml

Методом pump-probe оптического отражения определено время жизни свободных неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках «низкотемпературного» арсенида галлия (LT-GaAs). Оценено темновое удельное сопротивление LT-GaAs слоев. Методом фурье-спектроскопии измерены спектры излучения LTGaAs фотопроводящих антенн в области терагерцовых частот. ksf.lebedev.ru/outputfile_mainpage.php?id=1375

Исследована кинетика фотолюминесценции в многопериодных структурах квантовых ям GaAs/AlGaAs с асимметричными по высоте барьерами. За счет асимметрии барьеров достигнуто рекордно большое для униполярных лазеров время безызлучательной рекомбинации между лазерными подзонами (9 пс), которое превышает время безызлучательной релаксации с нижней лазерной подзоны. Это обеспечивает инверсную населенность в такой системе. Продемонстрировано эффективное подавление паразитного каскадного перехода между лазерными подзонами через состояния квазинепрерывного спектра. www.jetpletters.ac.ru/ps/2032/article_30629.shtml