Виды измерений и исследуемые объекты.
-Рентгенодифракционные исследования монокристаллов и пленок ВТСП материалов. Фазовый анализ шихты и выросших из нее монокристаллов. Определение параметров средней решетки и модулированной сверхрешетки в монокристаллах Bi2+xSr2-xCuO6+d и Bi2Sr2-xLaxCuO6+d. Определение тетрагональных искажений решетки эпитаксиальных пленок при росте на различных подложках и их влияния на Тс.
- Рентгенодифракционные исследования эпитаксиальных пленок и квантовых ям полупроводниковых материалов, выросших на разориентированных подложках.
- Измерения кривых качания для оценки структурного совершенства эпитаксиальных слоев и ям.
Установки и их основные параметры
Дифрактометры ДРОН–2.0, ДРОН–3.0 и двухкристальный спектрометр ДТС–1. Все установки настроены на работу с медным излучением (l=1.54056 Å) с мощностью до 2 кВт каждая
Цель исследований и получаемые результаты
1) Ренгенодифракционные исследования ВТСП материалов. Установление взаимосвязи между структурными и сверхпроводящими свойствами в совершенных монокристаллах ВТСП материалов. Сравнительное исследование тщательно подобранных пар кристаллов с одной и той же концентрацией носителей, но с различными дефектными конфигурациями позволяет разделять вклады в механизм спаривания от электрон–фононного взаимодействия и кулоновского взаимодействия между дефектами в «резервуаре заряда» и порожденными этими дефектами дырками в слоях CuO2.
2) Рентгенодифракционные исследования эпитаксиальных пленок и квантовых ям полупроводниковых материалов. В таких структурах, рассогласованных по параметру решетки из-за различных значений модуля Юнга в направлениях [100] и [111], наблюдается помимо тетрагональной деформации решеток слоев и ям еще и моноклинная деформация их решеток, которую можно не только наблюдать, но и использовать для анализа тонких слоистых неоднородностей слоев и квантовых ям.