Предназначены для испытаний сверхпроводящих устройств диаметром до 0.9м и высотой до 1.2м, сверхпроводящих материалов в полях до 8Т, при токах до 1кА и ВТСП материалов и устройств с ВТСП элементами на переменном токе до 0.5кА