Лаборатория спиновой физики двумерных материалов г. Москва, Ленинский пр-т. 53с4, к. 161
Высококвалифицированный старший научный сотрудник

Email: cvetkovva@lebedev.ru

Email: tsv@sci.lebedev.ru

Телефон: +7(499) 132-65-49

Телефон внутренний: 65-49

Researcher ID
M-9591-2015

Дополнительно

Биография

Цветков В.А. окончил Физический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук.
Цветков В.А. - высококвалифицированный специалист в области физики полупроводников, имеет более 80 печатных работ. Результаты его работ докладывались на Международных, Всесоюзных и Российских конференциях и научных сессиях ООФА АН.
Работы Цветкова В.А. посвящены, в основном, изучению свойств неравновесных носителей тока и фононов в сильно возбужденных полупроводниках. В этих работах впервые получен ряд принципиальных результатов: установлены основные закономерности кинетики конденсации экситонов, обнаружен и детально исследован эффект увлечения электронно-дырочных капель неравновесными акустическими фононами; обнаружена магнитостабилизированная электронно-дырочная жидкость и определены ее основные термодинамические параметры (плотность и энергия связи) в функции напряженности магнитного поля; показано, что при мощной оптической накачке охлаждаемого жидким гелием полупроводника в гелии возбуждаются ударные волны слабой интенсивности и др..
В последнее время Цветков В.А. занимается исследованиями оптических свойств полупроводниковых низкоразмерных наноструктур. Им и его соавторами прямыми экспериментами было продемонстрировано влияние параллельного слоям гетероструктуры магнитного поля на туннельную связь между квантовыми ямами (КЯ); обнаружено существование в мелкой GaAs/AlGaAs КЯ экситонов, образованных из локализованных в яме электронов и свободных тяжелых дырок; показано, что полосы возрастания и ослабления интенсивности фотолюминесценции свободных экситонов и трионов, локализованных в КЯ, наблюдаемые при изменении энергии квантов возбуждающего света находятся в противофазе при энергиях квантов, превышающих ширину запрещенной зоны AlGaAs-барьерных слоев.