СТРУКТУРА - Лаборатория узкозонных полупроводников

Лаборатория узкозонных полупроводников создана в начале 70-х годов XX века с целью исследования полупроводников с узкой запрещенной зоной (E_g ~ 0,1 эВ) типа А³В⁵ и А⁴В⁶. Основные направления исследований Лаборатории: энергетический спектр, электрические и оптические свойства, магнитооптика, а также создание различного типа полупроводниковых лазеров для средней ИК области спектра (2,5 – 46 мкм), включая инжекционные лазеры, спин-флип-лазер и квантовые каскадные лазеры. В настоящее время в лаборатории изучаются квантовые каскадные лазеры для области спектра 4 – 12 мкм, создаются инжекционные лазеры для терагерцовой области спектра, выращиваются и исследуются эпитаксиальные слои топологического изолятора.